насыщение транзистора, работа в ключевом режиме Опции

[Метценгерштейн]

Немного теории. Хочу до конца прояснить переход транзистора в режим насыщения. Схема с ОЭ. Допустим, R коллектора у нас 120 Ом. U коллектора 12В. Максимальный ток коллектора 100 мА. Грубо. Падение КЭ не учитываю.
h21э пусть 70. Как правильно рассчитать ток базы, необходимый для перевода транзистор в ключевой режим, в режим насыщения? Как я себе это представляю- беру график ВАХ с токами базы, по оси Х откладываю точку 12 Вольт. По Y откладываю мой ток 100 мА. Провожу наклонную. Или еще проще- раз ток у меня 100 мА, то рассчитываю ток базы: 100/70= 1,5 мА. Получается, что для разного тока коллектора будет разный ток базы, чтобы вогнать в режим насыщения? Или он один- ток базы насыщения на весь транзистор? Тут немного плыву, подскажите.

[Метценгерштейн]

могли бы посоветовать специальные транзисторы для микроконтроллеров, где уже резисторы в корпусе стоят? Чтобы специально в режиме ключа работали.

[V_G]

могли бы посоветовать специальные транзисторы для микроконтроллеров, где уже резисторы в корпусе стоят? Чтобы специально в режиме ключа работали.

PDTC1114,MMUN2212.
Но на мой вкус лучше МОП-транзисторы применять, начиная с 2N7002. Нет потребления по входу, очень низкое сопротивление в открытом состоянии, соответственно гораздо большие коммутируемые токи

[Метценгерштейн]

PDTC1114,MMUN2212.
Но на мой вкус лучше МОП-транзисторы применять, начиная с 2N7002. Нет потребления по входу, очень низкое сопротивление в открытом состоянии, соответственно гораздо большие коммутируемые токи

если ставить 2N7002, то в затвор резистор 10 К на всякий случай ограничивающий и S на землю, к D нагрузку. Или еще есть хитрости?

[V_G]

если ставить 2N7002, то в затвор резистор 10 К на всякий случай ограничивающий и S на землю, к D нагрузку. Или еще есть хитрости?

Не нужно никаких резисторов, т.к. ограничивать нечего. В остальном правильно: исток на землю.