Итак, мнения коллег разделились. Давайте пока не будем смотреть на цепи базы/затвора, а уточним еще раз тип транзистора. Нужно получить длительность фронта отрицательного импульса менее, чем 1 нс, частота повторения импульсов 10-20 Мгц. Напряжение на коллекторе будет 15 вольт.
Отдельный вопрос - а чем не нравится резистор в коллекторе? Он только заряжает емкость, в формировании фронта он не участвует. Или я не прав?
Предложены: 1) BFG540 - предполагаю, что он удовлетворяет по частотным свойствам, но нет запаса по Uкэ 2) BC817 - есть запас по Uкэ, смущают частотные свойства 3) Транзистор в лавинном режиме. Должен быть хороший фронт, но, ИМХО, недостаточно напряжения питания. Или, может кто знает доставабельные лавинные транзисторы с небольшим напряжением пробоя? 3) MOSFET - это интересно, например - какой?
|