Подключение IGBT к микроконтроллеру Опции

[николай19971997]

Здравствуйте. Передо мной стоит задача управлять затвором IGBT транзистора с помощью ШИМ от ноги контроллера. Для меня эта тема довольно сложная,потому что я никогда ещё не работал с транзисторами и поэтому надеюсь на помощь. Организовать ШИМ на контроллере я могу с лёгкостью,с этим проблем нет,я не знаю как организовать их соединение. После долгих поисков пришёл к выводу что напрямую через резистор не получится и нужен драйвер. Для меня это тёмный лес. Название транзистора IRGP6650DPBF. Вот его данные с чип дипа

{
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
Управляющее напряжение,В 6.5
Мощность макс.,Вт 306
Крутизна характеристики, S 22
Температурный диапазон,С -40…175
Корпус to-247ac
}

После долгих поисков я выбрал драйвер.Его название "IR2121PBF, Драйвер ключа нижнего уровня с ограничением тока".Вот его данные

{
Тип драйвера драйвер нижнего плеча
Время задержки, нс 150
Диапазон рабочих напряжений, В 12…18
Диапазон рабочих температур, С -40…+125
Тип входа неинвертирующий
Количество нижних каналов 1
Количество верхних каналов 0
Максимальное напряжение смещения, В 600
Максимальный выходной ток нарастания/спада 1/2
Корпус dip8
}

По сути драйвер выбрал от фанаря.Даже не знаю подойдёт ли он.Просто его все советуют в интернете.Плюс к этому нашёл в интернете формулы расчёта тока заряда и разряда затвора транзистора и по токам этот драйвер должен подходить,но до сих пор представления нет.


1)Подойдёт ли этот драйвер для связи ШИМ контроллера и этого транзистора?Если нет,то как выбрать другой?
2)Если подойдёт то нужно ли его как-то настраивать чтоб он согласовывал уровни микроконтроллера и IGBT или у него всё аппаратно сделано?
3)Что значит графа "управляющее напряжение" в характеристиках IGBT?правильно ли я понимаю,что 6.5 вольт это транзистор открыт полностью,а 0 вольт закрыт? тогда что такое напряжение насыщения и как оно относится к управляющему напряжению? я знаю что напряжение насыщения это напряжение при котором транзистор открыт полностью и открываться больше не может,но что тогда управляющее напряжение и почему оно больше напряжения насыщения? (я запутался)

Подскажите новичку,потому что я в электронике нуб,а задачу выполнить надо. Если вы не знаете ответы на все вопросы,то подскажите хотя бы какой-нибудь один, чтобы я мог продвинуться в направлении успеха

[Ydaloj]

а зачем вы выбрали именно IGBT, а не MOSFET, если не знаете, что это такое и с чем его едят? Возьмите генераторный пентод тогда, тоже красиво будет.

1)Подойдёт ли этот драйвер для связи ШИМ контроллера и этого транзистора?Если нет,то как выбрать другой?
2)Если подойдёт то нужно ли его как-то настраивать чтоб он согласовывал уровни микроконтроллера и IGBT или у него всё аппаратно сделано?
3)Что значит графа "управляющее напряжение" в характеристиках IGBT?правильно ли я понимаю,что 6.5 вольт это транзистор открыт полностью,а 0 вольт закрыт? тогда что такое напряжение насыщения и как оно относится к управляющему напряжению? я знаю что напряжение насыщения это напряжение при котором транзистор открыт полностью и открываться больше не может,но что тогда управляющее напряжение и почему оно больше напряжения насыщения? (я запутался)

1. Если в паспорте на драйвер написано, что предназначен для управления IGBT, то подходит, это же очевидно. Подходит в первом приближении, т.к. неизвестны требуемые частотные параметры работы IGBT.
2. Если у драйвера есть выводы настройки, то да, надо настраивать.
3. Тут надо знать, что же такое IGBT, информации в интернете полно, надо самостоятельно добывать информацию. IGBT транзистор по входу - как полевой, а по выходу - как биполярный. Поэтому управляющее напряжение (скорее всего, затвор-эмиттер, по логике чипидиповцев) у него - от полевого транзистора, а напряжение насыщения - от биполярного. Надеюсь, не надо объяснять про эти типы транзисторов?

Ещё надо не доверять всяким чипидипам, а читать оригинальные паспорта. Потому что в паспорте на транзистор вместо управляющего напряжения написано

VGE(th) Gate Threshold Voltage 4.0 — 6.5 V (VCE = VGE, IC = 1.0mA)
VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 V

Ну а про напряжение насыщения тоже вполне себе ясно, что это за напряжение и между чем и чем

VCE(on) Collector-to-Emitter Saturation Voltage — 1.65 1.95V (IC = 35A, VGE = 15V, TJ = 25°C)
— 2.05 — (IC = 35A, VGE = 15V, TJ = 150°C)
— 2.10 — (IC = 35A, VGE = 15V, TJ = 175°C)