DDR Wizard, Моделирование перекрёстных помех и учёт заливки внутри "гармошек&# Опции

[Stepanich]

Здравствуйте.

1. При моделировании перекрёстных помех в модуле DDRx Batch-Mode Wizard в окне Coupling Settings есть возможность включить флаг Include Trace to trace coupling. В руководстве про данный флаг сказано: "Enable to model trace-to-trace coupling.
Note: When you multiple nets and disable this option, the software still models trace-to-trace coupling for the selected nets that meet coupling thresholds."


Вопрос: на что повлияет данный флаг при моделировании DDR3? Не дублирует ли данный флаг переключатель Use electrical thresholds?

2. На рисунке ниже приведён пример трассировки сигналов DQ DDR3. Видно, что часть проводников имеет заливку полигоном между сегментами "гармошки" одной цепи, а часть - нет. Известно, что время распространения и форма сигналов в этих различных условиях будут отличаться из-за отличающихся параметров взаимной ёмкости между сегментами "гармошек" (в случае с заливкой землёй ёмкостная связь между сегментами "гармошки" одной цепи отсутствует).


Вопрос: учитывает ли DDRx Batch-Mode Wizard при моделировании ЦС заливку полигоном между сегментами "гармошки" одной цепи?

Как лучше поступить, если нет возможности обеспечить заливку полигоном всех областей трассировки цепей: привести всё к единообразию, везде удалив заливку, или оставить заливку там, где это возможно, для снижения перекрёстных помех?

Спасибо.

[Skat-pro]

Как лучше поступить, если нет возможности обеспечить заливку полигоном всех областей трассировки цепей: привести всё к единообразию, везде удалив заливку, или оставить заливку там, где это возможно, для снижения перекрёстных помех?

Спасибо.

В любом случае - лучше конечно привести все к единообразию (вся группа должна быть в одинаковой среде, допустим BL0), везде удалить заливку, этим вы избавитесь от лишних антенн и не надо высчитывать как измениться дополнительно емкость/индуктивность и как они повлияют на скорость передачи сигнала. Сделайте для этих цепей опорный слой с низким потенциалом (GND).
А перекрестные помехи и так снизятся за счет разнесения линий друг от друга - этого вполне достаточно. Как правило зазоры от 3W до 5W (W - толщина проводника), смотря между какими линиями. Самое главное придерживаетесь правил, которые написаны в спецификации на DDR.