DDR2 SDRAM, Как video буфер лучше организовать Опции

[zombi]

Ранее с синхронной памятью не работал. И вот пришлось.
Хочу для начала организовать простейший буфер экрана.
Одна ячейка 4,8 или 16 бит на пиксель (это не столь важно).
Контроллер памяти хочу на альтере MAX10 реализовать.
Понимаю что придётся читать сразу по несколько пикселей 4 или 8 (burst).
Складывать их во временный буфер и затем выводить в порт на нужной частоте.
Читаю DS на MICRON DDR2 SDRAM память.
Вроде как даже чего-то в теории получается.
Но вот хочу отказаться от команд REFRESH вообще.
Где-то на просторах сети попадалось вот такое утверждение :

иногда можно и вовсе без рефреша обойтись, если например память является видеобуфером кадра который каждые 20-30мс заведомо весь будет прочитан.

По каким адресам расположить видеобуфер?
Или это для DDR2 не прокатит?

Прикрепленные файлы

 1Gb_DDR2.pdf ( 9.19 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 6

 

[jcxz]

Или это для DDR2 не прокатит?

Почему "не прокатит"? За 30мс содержимое ячеек не разрушится.

[zombi]

Почему "не прокатит"? За 30мс содержимое ячеек не разрушится.

На самом деле у меня время кадра ~16 ms.

Т.е. если я за это время хотя-бы раз выполню команду "ACTIVE" и "READ" для всех строк "ROW" (в моём случае их 16384)
во всех банках (у меня их 8), то команду REFRESH можно вообще не формировать?

[jcxz]

Т.е. если я за это время хотя-бы раз выполню команду "ACTIVE" и "READ" для всех строк "ROW" (в моём случае их 16384)
во всех банках (у меня их 8), то команду REFRESH можно вообще не формировать?

Я для пробы на K4S561632N-LC75 отключал рефреш. Содержимое ячеек начинало теряться примерно через 6 сек (точно не помню, тут где-то на форуме в своё время постил сообщение по этому поводу с результатами тестов). Конечно это SDRAM, но думаю разницы нет. И конечно это всё в тепличных условиях стола, но всё же.......
https://electronix.ru/forum/index.php?showt...t&p=1450492

[zombi]

Конечно это SDRAM, но думаю разницы нет.

Я бы с удовольствием SDRAM в изделие заложил, но нет их нужного объёма.
Поэтому сразу решил смотреть в сторону DDR2.
Пока изучаю MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
И чем больше читаю DS тем больше понимаю что ничерта не понимаю.

Вот в DS...
Table 2: Addressing :
Refresh count 8K
Row address A[13:0] (16K)
Bank address BA[2:0] (8)
Column address A[9:0] (1K)

Т.е. строк 16К, банков 8, а Refresh count всего 8K.
Получается несколько строк/банков одновременно рефрешится?