Работа с плохими секторами/страницами в NAND FLASH. Опции

[Jenya7]

Вопрос к специалистам с опытом работы с NAND FLASH. Есть такая NAND FLASH - TC58CVG2S0HxAIx.
Стирается она блоками. В каждом блоке 64 страницы. Как выявлять какая страница повреждена а какая нет? Допустим стер блок и что потом? Перебирать все страницы, считывать и проверять если какой нибудь байт не равен 0xFF - страница плохая? А где хранить информацию о плохих страницах? 2048 блоков и в каждом 64 страницы - это uint64_t pages[2048] - чтоб сохранить всю информацию.

Сообщение отредактировал Jenya7 - Jun 22 2018, 10:01

Прикрепленные файлы

 TC58CVG2S0HxAIx_Rev1.1_2016_11_08.pdf ( 1.59 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 13

 

[aaarrr]

Стирается она блоками. В каждом блоке 64 страницы. Как выявлять какая страница повреждена а какая нет?

И бракуется блоками, а не страницами. Подробности на стр.37-38 даташита.

[Jenya7]

И бракуется блоками, а не страницами. Подробности на стр.37-38 даташита.

спасибо за наводку.то есть исходя из описания

Regarding invalid blocks, the bad block mark is in the whole page. Please read one column of any page in each
block. If the data of the column is 00 (Hex), define the block as a bad block

достаточно прочесть любую строку на любой странице блока и если есть 0х00 - блок плохой? а что в плохом блоке вся дата на странице читается 0х00?

Сообщение отредактировал Jenya7 - Jun 22 2018, 18:43