Работа с плохими секторами/страницами в NAND FLASH. Опции

[Jenya7]

Вопрос к специалистам с опытом работы с NAND FLASH. Есть такая NAND FLASH - TC58CVG2S0HxAIx.
Стирается она блоками. В каждом блоке 64 страницы. Как выявлять какая страница повреждена а какая нет? Допустим стер блок и что потом? Перебирать все страницы, считывать и проверять если какой нибудь байт не равен 0xFF - страница плохая? А где хранить информацию о плохих страницах? 2048 блоков и в каждом 64 страницы - это uint64_t pages[2048] - чтоб сохранить всю информацию.

Сообщение отредактировал Jenya7 - Jun 22 2018, 10:01

Прикрепленные файлы

 TC58CVG2S0HxAIx_Rev1.1_2016_11_08.pdf ( 1.59 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 13

 

[Alex11]

При поставке все данные читаются 0, но если попытаться стереть BadBlock, то никто не гарантирует, что все данные будут читаться как 0. Скорее всего, будут отдельные битовые нули. Но по инструкции BadBlock'и стирать запрещено. Также BadBlock'и могут образовываться при работе. Диагностика - возникновение ошибки стирания или ошибки записи.

[Jenya7]

При поставке все данные читаются 0, но если попытаться стереть BadBlock, то никто не гарантирует, что все данные будут читаться как 0. Скорее всего, будут отдельные битовые нули. Но по инструкции BadBlock'и стирать запрещено. Также BadBlock'и могут образовываться при работе. Диагностика - возникновение ошибки стирания или ошибки записи.

проблема вот в чем. если память не писанная то все хорошо. но если на эту страницу уже писАли? там наверняка будут нули. и как тогда понять какой блок плохой какой хороший?
и кстати они пишут что в BadBlock ошибки стирания может и не быть.

Сообщение отредактировал Jenya7 - Jun 23 2018, 05:08