Может ли Atmega162 от 3,6В работать на 11,0592 МГц Опции

[Alex ma]

В документации на Atmega162, по графику зависимости тактовой частоты от напряжения питания, 8 МГЦ при напряжении питания от 2,7В и при напряжении питании более 4,5В максимальная частота до 16 МГц
Хотелось бы, чтоб работал на 11,0592 от 3,6В.

[Rst7]

В документации на Atmega162, по графику зависимости тактовой частоты от напряжения питания, 8 МГЦ при напряжении питания от 2,7В и при напряжении питании более 4,5В максимальная частота до 16 МГц
Хотелось бы, чтоб работал на 11,0592 от 3,6В.

Учитесь, господа, как формулировать надо вопросы...

Будет оно работать, но в серию нельзя так запускать... А что мешает поднять питание?

[Alex ma]

В документации на Atmega162, по графику зависимости тактовой частоты от напряжения питания, 8 МГЦ при напряжении питания от 2,7В и при напряжении питании более 4,5В максимальная частота до 16 МГц
Хотелось бы, чтоб работал на 11,0592 от 3,6В.

Учитесь, господа, как формулировать надо вопросы...

Будет оно работать, но в серию нельзя так запускать... А что мешает поднять питание?

Flash память AD45DB работает при 3,6В максимум. При подключении к контроллеру необходима микросхема согласования уровней, лишний корпус, если питать от разных источников. При одинаковом питании все напрямую соединяется.

[Rst7]

Flash память AD45DB работает при 3,6В максимум. При подключении к контроллеру необходима микросхема согласования уровней, лишний корпус, если питать от разных источников. При одинаковом питании все напрямую соединяется.

Не боись, давай на питание DB 3.3 вольта, а на мегу 5, и все будет работать... Если уж до конца корректно делать, то для полного счастья можно соединить вывод MISO DB'шки с MISO меги через повторитель серии HCT, запитаный от +5.

[Alex ma]

Flash память AD45DB работает при 3,6В максимум. При подключении к контроллеру необходима микросхема согласования уровней, лишний корпус, если питать от разных источников. При одинаковом питании все напрямую соединяется.

Не боись, давай на питание DB 3.3 вольта, а на мегу 5, и все будет работать... Если уж до конца корректно делать, то для полного счастья можно соединить вывод MISO DB'шки с MISO меги через повторитель серии HCT, запитаный от +5.

Так и сделаю МК 5в память 3,3в микросхема HCT.

В документации на Atmega162, по графику зависимости тактовой частоты от напряжения питания, 8 МГЦ при напряжении питания от 2,7В и при напряжении питании более 4,5В максимальная частота до 16 МГц
Хотелось бы, чтоб работал на 11,0592 от 3,6В.

Учитесь, господа, как формулировать надо вопросы...

Будет оно работать, но в серию нельзя так запускать... А что мешает поднять питание?

Объясните несведующему, отчего нельзя пускать в серию, если на графике нарисованно, что при 3,3 Вольт чуть более 12МГц (page 278, Figure 123.Active supply current vs. frequency(1-20 mHz))???

Рисунок 114, 123 где правда не понятно.

[Joy]

Так и сделаю МК 5в память 3,3в микросхема HCT.

память АТ45DB 5в толерант, так что буфер можно не ставить. проверено на партиях >10к (мега128 от 5в + АТ45 от 3,5)

[Rst7]

Так и сделаю МК 5в память 3,3в микросхема HCT.

память АТ45DB 5в толерант, так что буфер можно не ставить. проверено на партиях >10к (мега128 от 5в + АТ45 от 3,5)

]

Нет, буфер в другую сторону. Т.е. сигналы ОТ меги к ДБ напрямик (как правильно было замечено, они у ДБшки 5v-tolerant), а вот сигнал от ДБ чуть хитрее... Смотрите, при питании 5В порог у меги будет примерно 2-2.5В, а 3.3 - полный размах сигнала... В результате в худшем случае имеем запас по помехоустойчивости 0.8В. Если мы ставим HCT буфер, у него порог ~1.5В, то есть оптимально согласуется с ДВ, а на выходе он имеет размах 0-5В, опять же идеальное согласование с мегой. Можно не буфер, а что-то типа одиночного инвертора 74HCT04 (есть в 6-ти или 5-тилапом корпусе) и проинвертировать в программе результат с SPDR. Буфер или инвертор естественно надо запитывать от 5В

[Joy]

Нет, буфер в другую сторону. Т.е. сигналы ОТ меги к ДБ напрямик (как правильно было замечено, они у ДБшки 5v-tolerant), а вот сигнал от ДБ чуть хитрее... Смотрите, при питании 5В порог у меги будет примерно 2-2.5В, а 3.3 - полный размах сигнала... В результате в худшем случае имеем запас по помехоустойчивости 0.8В. Если мы ставим HCT буфер, у него порог ~1.5В, то есть оптимально согласуется с ДВ, а на выходе он имеет размах 0-5В, опять же идеальное согласование с мегой. Можно не буфер, а что-то типа одиночного инвертора 74HCT04 (есть в 6-ти или 5-тилапом корпусе) и проинвертировать в программе результат с SPDR. Буфер или инвертор естественно надо запитывать от 5В

ну, по-моему, с помехоустойчивостью надо как-то по другому бороться... запаса в 0,8В (а он есть! ) длжно хватить для устойчивой работы. еще раз повторюсь, 5-вольтовая мега отлично работает с 3-вольтовой памятью в сериях >10к (правда, растояние между микросхемами не больше сантиметра, так что о помехах речи нет)