Цитата(Vanёk @ Nov 21 2006, 18:43)
можно ли определить, в каком режиме работает каждый из параллельно включённых N-штук транзистов ОИ, в зависимости от входного напряжения (на затворе), если известно E_питания, а N неизвестно. ? Транзисторы n-канальные.
Значицца так. Сначала рассмотрите это как один полевик (с длиной канала, равной сумме длин всех тех полевиков, допускаю что эти полевики по одной технологии и одной ширины канала). Благо оно так и есть. Он весь будет в одном из трех режимов - субпороговом, линейном или насыщения. Если он весь в линейном, то и все его детали в линейном. То есть некое подобие резисторов. Если он в насыщении - то верхний в насыщении, остальные в линейном. Субпороговый режим - там отдельный вопрос, в нем он может вести себя и похоже на насыщение, и быть линейным. Только формулы другие. А смысл тот-же, либо все в линейном, либо верхний насыщен, остальные в линейном.
Дальше, когда ясно какая запчасть в каком режиме, рассчет становится элементарным.
P.S. Кстати, если уж на то пошло, то особенной частью является только ооочень малая часть канала, расположенная ближе к стоку верхнего транзистора. Все остальное есть нечто вроде резистора.
Цитата(Stanislav @ Nov 23 2006, 20:28)
Цитата(yxo @ Nov 23 2006, 12:03)
...Для режима насыщения полевого транзистора существует вполне конкретное определение: (для нашего случая) n канальный обагащенной фет работает в насыщении, когда напряжение затвор-исток больше порогового и напряжение стока не падает ниже напряжения затвора минус пороговое напряжение.
Простите, а где можно найти это "вполне конкретное определение"? Дайте ссылочку, плиз.
Вот в этой книжке например =>
http://cmosedu.com/cmos1/book.htm Очень хорошая книга.
"ухо" абсолютно прав в части режимов работы транзистора, забыв только про субпороговую область, когда Vgs<Vth, но не сильно меньше, и ток стока зависит экспоненциально от Vth-Vgs. Очень важный режим для микропотребляющих схем. Линейный режим - это когда канал представляет собой сопротивление, величина которого зависит от (Vgs-Vth). Далее при превышении определенного Vds транзистор насыщается и превращается в источник тока, величина которого определяется тем-же (Vgs-Vth) (в квадрате, для ширококанальных технологий)
Теперь про модуляцию длины канала - это только один из эффектов, влияющих на выходное сопротивление в режиме насыщения, и портящих "качественность" получаемого ИТ. А эффект, благодаря которому получается ИТ, это никакая не модуляция, а насыщение скорости носителей. Этот эффект (модуляция), кстати, наиболее проявляется только в начале области насыщения, при относительно небольших превышениях Vds над Vgs-Vth. Далее начинает сильнее проявляться DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering), А еще дальше - SCBE - substrate current induced body effect. Для детального разбирательства, какой эффект на что именно влияет, и как его моделировать советую там глянуть (описание модели BSIM4, глава 5) =>
http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3...SIM450_Manu.tarЦитата(Stanislav @ Nov 23 2006, 20:28)
Цитата(yxo @ Nov 23 2006, 12:03)
...Другими словами, граница перехода в режим насыщение происходит, после выполнения условия
Vds = Vgs -Vt.
Vt - это что?
Это пороговое напряжение. Причем это отношение действительно только для "ширококанальных" полевиков. То есть на технологиях примерно 0.8 микрона и толще. Для короткоканальных это все не так.
Режимы транзисторов, Параллельно включённых БТ
Nov 21 2006, 18:43
