реклама на сайте
подробности

 
 
> Как ввести 5.5V через IOs в TSMC 0.18u
evi
сообщение Nov 24 2006, 21:03
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 79
Регистрация: 20-09-06
Пользователь №: 20 552



Кто-нибудь сталкивался с такой проблемой: как ввести 5.5 В через IOs в TSMC 0.18u ? Нужно ввсести 5.5 В в чип для зарядник батареи, но даже в высоковольтных IOs из библиотеки TSMC 0.18u шина ESD вроде (согласно документации) должна подключаться к напряжению не более 3.6 В, т.е. вряд ли VDD IO пропустит 5.5 В.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
oratie
сообщение Nov 24 2006, 21:32
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 120
Регистрация: 2-11-06
Из: Москва
Пользователь №: 21 900



В IO библиотеке может/должен быть так называемый аналоговый пад. В большинстве случаев это просто провод не подключенный к ESD защите (да и никуда не подключенный). Просто провод. Поищите в даташите.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SM
сообщение Nov 25 2006, 01:27
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881



Цитата(oratie @ Nov 24 2006, 21:32) *
В IO библиотеке может/должен быть так называемый аналоговый пад. В большинстве случаев это просто провод не подключенный к ESD защите (да и никуда не подключенный).


А вот вовсе не факт. Например с той технологией, что я сейчас имею дело, такого пада готового нет. НО! Никто не мешает его сделать самому, убив ESD-защиту, по крайней мере по плюсу питания. А если что и добавив свою, от перенапряжения, из толпы диодов.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
alexxaxa
сообщение Nov 27 2006, 15:04
Сообщение #4


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 621
Регистрация: 18-01-06
Пользователь №: 13 343



Цитата(SM @ Nov 25 2006, 01:27) *
Цитата(oratie @ Nov 24 2006, 21:32) *

В IO библиотеке может/должен быть так называемый аналоговый пад. В большинстве случаев это просто провод не подключенный к ESD защите (да и никуда не подключенный).


А вот вовсе не факт. Например с той технологией, что я сейчас имею дело, такого пада готового нет. НО! Никто не мешает его сделать самому, убив ESD-защиту, по крайней мере по плюсу питания. А если что и добавив свою, от перенапряжения, из толпы диодов.


Пад без защиты - это скорее тестовый вывод. Коммерческий кристалл без ESD защиты - нонсенс.
Своими силами можно пробовать с вероятностью успеха <30%. Вариант - структура типа зенеровского
диода, подключенного анодом к шине земли. В качестве такой структуры - SCR прибор, диод на основе N-кармана, RESURF NFET все с тем же карманом в стоке.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 24th August 2025 - 20:33
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01386 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016