реклама на сайте
подробности

 
 
> Интересный пример High-Side MGD из "рассыпухи", ценою сущие гроши
JBM
сообщение Nov 27 2006, 03:00
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 69
Регистрация: 28-10-05
Из: Харьков, ул. Героев труда.
Пользователь №: 10 213



Вот показали мне интересный пример драйвера для верхнего ключа на двух транзисторах. Т.е. очень-очень дешево и сердито! Утверждается, что это именно High-Side MGD (MOSFET Gate Driver).

Проясните принцип действия этой схемы! Ведь для управления верхним ключом нужно повышенное напряжение (RAIL + 15V). Правильно ли я понял - сначала мосфет закрыт, и конденсатор заряжается на 15 вольт относительно истока. Потом, когда мосфет начинает открываться по команде с оптрона, он какое-то время находится в линейном режиме, но ток уже пошел и напряжение на истоке начинает повышаться (т.к. Rload и Rds мосфета образуют делитель). Вследствие этого за счет напряжения на конденсаторе повышается напряжение на затворе и мосфет переходит в ключевой режим. Правильно?

Если правильно, то есть вопросы.

Как прикинуть емкость конденсатора, или чем больше тем лучше? Ведь пока мосфет в ключевом режиме, кондёр потихоньку разряжается и напряжение на затворе в конце концов вернётся к RAIL? Там у них стоит 0.1 мкф.

Как выбрать сопротивление после диода? Оно ограничивает ток стабилитрона, но, с другой стороны, замедляет перезаряд кондёра, пока мосфет закрыт. Энергия кондёра в основном уходит на заряд затвора при открытии, который потом не возвращается, а сбрасывается на землю при закрытии. Как пересчитать заряд затвора мосфета в миллиамперы при известной частоте?

И, я так понимаю, скважность не должна превышать какого-то значения, процентов 95, к примеру. Кондёр же надо когда-то перезаряжать. В общем, как подсчитать средний ток потребления на заряд-разряд затвора при частоте например 100кГц (потом поделим его на 5% и получим пиковый ток заряда конденсатора при скважности 95%, так?)
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  ________MOSFET.PDF ( 25 килобайт ) Кол-во скачиваний: 478
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
JBM
сообщение Nov 27 2006, 15:27
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 69
Регистрация: 28-10-05
Из: Харьков, ул. Героев труда.
Пользователь №: 10 213



Цитата
Следует учитывать, что скорость закрытия полевика много выше скорости открытия в этой схеме.
А вот это как раз хорошо. У меня мост, но без deadtime, таким образом нижние ключи желательно закрывать побыстрее, а верхние открывать помедленнее. Так что, в данном случае, минус на минус даёт плюс.

ОК, раз я всё правильно понял, тогда интересуют номиналы.

Заряд затвора выражается в кулонах. Для примера возьмём IRFZ46N, который я собираюсь использовать. Qgs=72e-9 Кл.
Заряд равен току заряда (Ichg) умноженному на время заряда (Tchg):
Qgs = Ichg * Tchg

Время заряда собственно затвора нас не интересует, а интересует время, за которое этот заряд должен быть доставлен в кондёр. Это может быть сделано только пока мосфет закрыт, т.е.
Tchg = T*(1-D), где T - период, а D - максимальная скважность.
T = 1 / F, где F - частота переключений.

Итого получается:
Qgs = Ichg * (1-D) / F, откуда
Ichg = Qgs * F / (1-D)

Вычисляем:
Ichg = 72e-9 * 100e3 / (1-0.95) = 0.144 Ампер

144 миллиампера, нифига себе! Может в чем-то ошибка?

Вопрос еще один: есть еще Input Capacitance, это что за зверь? В заряде-разряде затвора она участвует или нет?
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  irfz44n.pdf ( 100.57 килобайт ) Кол-во скачиваний: 89
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- JBM   Интересный пример High-Side MGD из "рассыпухи"   Nov 27 2006, 03:00
- - Herz   Вы всё примерно поняли правильно. Только на две ве...   Nov 27 2006, 09:24
- - Andr2I   Все правильно. Резистор ограничивает импульсный то...   Nov 27 2006, 10:56
- - JBM   Есть еще вопросы: при каком напряжении затвор-исто...   Nov 27 2006, 16:00
- - _artem_   Сопротивление стояще после диода зависит от многих...   Nov 27 2006, 16:08
- - Herz   Ещё учтите, что ток у Вас нелинейный.   Nov 27 2006, 18:39
- - JBM   В общем, похоже что в моменты заряда конденсатора ...   Nov 27 2006, 22:11
|- - Прохожий   Вообще-то такие схемы применяют крайне редко. Тем ...   Nov 28 2006, 17:31
- - Herz   ЦитатаПреимущества перед исходной: - допускает скв...   Nov 28 2006, 15:39
- - JBM   А в чем проблема без оптрона? Оптрон, как я понял...   Nov 28 2006, 16:53
|- - Herz   Цитата(JBM @ Nov 28 2006, 15:53) А в чем ...   Nov 28 2006, 17:41
- - Andr2I   2JBM А чем будете управлять без оптрона? Какое нап...   Nov 29 2006, 17:14
- - JBM   Всё, я запуталссо. Люди, хелп! Вот берём npn...   Nov 30 2006, 17:07
- - Andr2I   2JBM Первая схема (дополненная) будет жить (но и т...   Nov 30 2006, 20:48
- - JBM   Резистор в базе ничего не даст, т.к. не будет дели...   Nov 30 2006, 22:46
- - Andr2I   2JBM Точно, сгорит... Транзистор будет открыт при ...   Nov 30 2006, 23:10
- - JBM   Тю, шо, никто не знает???   Dec 1 2006, 16:26


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 22nd July 2025 - 03:03
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.08231 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016