реклама на сайте
подробности

 
 
> Как ввести 5.5V через IOs в TSMC 0.18u
evi
сообщение Nov 24 2006, 21:03
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 79
Регистрация: 20-09-06
Пользователь №: 20 552



Кто-нибудь сталкивался с такой проблемой: как ввести 5.5 В через IOs в TSMC 0.18u ? Нужно ввсести 5.5 В в чип для зарядник батареи, но даже в высоковольтных IOs из библиотеки TSMC 0.18u шина ESD вроде (согласно документации) должна подключаться к напряжению не более 3.6 В, т.е. вряд ли VDD IO пропустит 5.5 В.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
oratie
сообщение Nov 24 2006, 21:32
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 120
Регистрация: 2-11-06
Из: Москва
Пользователь №: 21 900



В IO библиотеке может/должен быть так называемый аналоговый пад. В большинстве случаев это просто провод не подключенный к ESD защите (да и никуда не подключенный). Просто провод. Поищите в даташите.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SM
сообщение Nov 25 2006, 01:27
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881



Цитата(oratie @ Nov 24 2006, 21:32) *
В IO библиотеке может/должен быть так называемый аналоговый пад. В большинстве случаев это просто провод не подключенный к ESD защите (да и никуда не подключенный).


А вот вовсе не факт. Например с той технологией, что я сейчас имею дело, такого пада готового нет. НО! Никто не мешает его сделать самому, убив ESD-защиту, по крайней мере по плюсу питания. А если что и добавив свою, от перенапряжения, из толпы диодов.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
alexxaxa
сообщение Nov 27 2006, 15:04
Сообщение #4


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 621
Регистрация: 18-01-06
Пользователь №: 13 343



Цитата(SM @ Nov 25 2006, 01:27) *
Цитата(oratie @ Nov 24 2006, 21:32) *

В IO библиотеке может/должен быть так называемый аналоговый пад. В большинстве случаев это просто провод не подключенный к ESD защите (да и никуда не подключенный).


А вот вовсе не факт. Например с той технологией, что я сейчас имею дело, такого пада готового нет. НО! Никто не мешает его сделать самому, убив ESD-защиту, по крайней мере по плюсу питания. А если что и добавив свою, от перенапряжения, из толпы диодов.


Пад без защиты - это скорее тестовый вывод. Коммерческий кристалл без ESD защиты - нонсенс.
Своими силами можно пробовать с вероятностью успеха <30%. Вариант - структура типа зенеровского
диода, подключенного анодом к шине земли. В качестве такой структуры - SCR прибор, диод на основе N-кармана, RESURF NFET все с тем же карманом в стоке.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SM
сообщение Nov 27 2006, 15:21
Сообщение #5


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881



Цитата(alexxaxa @ Nov 27 2006, 15:04) *
Пад без защиты - это скорее тестовый вывод. Коммерческий кристалл без ESD защиты - нонсенс.


Защита может быть в том блоке, куда эти 5.5 вольт идут, для 0.18 это явно не особо стандартный блочок. Если оно так, то в самом паде можно обойтись и без нее, хорошенько заэкранировав провод, который пойдет в блок. Если блок не имеет в себе защиты по данному входу, тогда, конечно, надо.

ЗЫ а почему вероятность успеха <30% ? Вроде не слишком сложный узел.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
alexxaxa
сообщение Nov 27 2006, 20:04
Сообщение #6


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 621
Регистрация: 18-01-06
Пользователь №: 13 343



Цитата(SM @ Nov 27 2006, 15:21) *
Цитата(alexxaxa @ Nov 27 2006, 15:04) *

Пад без защиты - это скорее тестовый вывод. Коммерческий кристалл без ESD защиты - нонсенс.


Защита может быть в том блоке, куда эти 5.5 вольт идут, для 0.18 это явно не особо стандартный блочок. Если оно так, то в самом паде можно обойтись и без нее, хорошенько заэкранировав провод, который пойдет в блок. Если блок не имеет в себе защиты по данному входу, тогда, конечно, надо.

ЗЫ а почему вероятность успеха <30% ? Вроде не слишком сложный узел.



ESD защита в технологиях 0.18 и ниже простой задачей не явлется. Тонкий окисел (если нет
высоковольтной опции) деградирует уже при напряжениях ~4В. Пробои стандартных диодов и соответственно стоковых переходов - на том же уровне. Пороговые напряжения паразитных
транзисторов под 1-м металлом уже могут привести к неожиданностям при 5В:-) Т.е. высоковольтная
защита в этих условиях - уже экзотика, которую редкий кастомер себе может позволить без существенного риска.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
evi
сообщение Nov 28 2006, 00:14
Сообщение #7


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 79
Регистрация: 20-09-06
Пользователь №: 20 552



Цитата(alexxaxa @ Nov 27 2006, 20:04) *
ESD защита в технологиях 0.18 и ниже простой задачей не явлется.


Да, в этом вся и проблема. Самому рарработать ESD защиту - гиблое дело, нужны спец симуляторы.

Есть у меня одна идея: для ввода использовать аналоговый пад (без защиты), подключив его через три диода к стандартной ESD защите из IO библиотеки (например к 3V VDD pad).

Цитата(SM @ Nov 27 2006, 15:21) *
Защита может быть в том блоке, куда эти 5.5 вольт идут, для 0.18 это явно не особо стандартный блочок. Если оно так, то в самом паде можно обойтись и без нее, хорошенько заэкранировав провод, который пойдет в блок. Если блок не имеет в себе защиты по данному входу, тогда, конечно, надо.


У меня 5В вход подключен к коллектору биполярника, ток базы которого (через пару диодов) управлется уже через МОП. Так я решил 5В-проблему, но ЕСД защиты это все же не дает.

Сообщение отредактировал evi - Nov 28 2006, 00:28
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 14th August 2025 - 01:30
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01401 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016