Скорее придется не "учитывать волновое сопротивление трасс", а моделировать поведение ваших трасс CLK и прежде всего трасс шины данных. Видете ли в чем дело - все зависит от того как разведены эти трассы, расстояние между контактами проца и SDRAM, по каким слоям идут эти трассы, много ли изгибов в этих трассах, сколько SDRAM висит на этом процесоре и что еще висит на этих же трассах и еще массу всего интересного
. Поэтому, то что стоит согласующий резистор 22 Ом - это хорошо и правильно. Другое дело, что его номинал может не соответствовать топологии трасс. Особенно это касается шины данных, при чтении из SDRAM. У самой SDRAM предельные входные напряжения (-1В 4,6В для Micron), а у прцессора как правило значительно меньше. Фронты у SDRAM очень крутые, что в соовокупности с емкостными/идуктивными параметрами линии, а также отражениями сигнала от контатов, изгибов трасс и черт знает еще от чего, дает всплески положительного потенциала на переднем фронте и отрицательного на заднем. Что может вывести из строя процессор. Поэтому зачастую ставят на шину данных защитные диоды (особенно к цепи земля). Так что 22 Ом может оказаться мало. Лично мне иногда приходиться ставить 47 Ом. И это пол беды - надо обязательно промоделировать трассу CLK, ибо фронты синхро сигнала должны быть СТРОГО монотонны, и здесь приходиться подбирать номинал сопротивления, что называется методом последовательных приближений. Так что ответьте для себя на все вопросы связанные с топологией трасс, затем приступайте к моделированию. Лично я использую программу HyperLynx 7.2, кстати она же считает волновое сопротивление ваших трасс. И наконец последний этап после моделирования - это расчет (ручной) запасов по SETUP и HOLD для шин данных, адреса и управляющих сигналов. Все запасы должны быть строго положительны. Прикрепляю методику такого расчета от Texas Instruments. Она на английиском, но написана нормально, понять можно. Если будут вопросы обращайтесь.
SDRAM-процессор, Волновое сопротивление трасс ?
Feb 10 2005, 06:24
