Управление Электро-оптическим затвором, Генератор короткого высоковольтного импульса Опции

[ikm]

Уважаемые господа, возникла необходимость сделать схему для управлени ЭОЗ. Есть несколько идей и путей их реализации:
1)В одном "плече" создать постоянное высоковольтное(до4,5 кВ) напряжение, во втором делать отрицательный(относительно земли) короткий импульс тойже амплитуды.Оба плеча соеденены между собой кондёром.ЭОЗ подключен одной обкладкой к 1-му плечу второй к земле.Второе плечо сделано по схеме Маркса либо на PNP либо на MOSFET.

2)В одном "плече" создать постоянное высоковольтное(до4,5 кВ) напряжение и его просто замыкать на землю.Здесь в качестве ключа можно использовать последовательное соеденение нескольких NPN или mosfet работающих в режиме "пробоя".

Требование к выходному сигналу: Постояная полка в 4,5 кВ падает до нуля(фронт спада не более 12 нс, длительность от 100 нс до 5мкс) с частотой повторения до 1 кГц.

Кто сталкивался с подомного рода схемами. И какие советы по выбору семы можете дать.

[=AK=]

Кто сталкивался с подомного рода схемами. И какие советы по выбору семы можете дать.

Давно, лет 30 назад, делал УУ для ЭОМ, даже авторское получил. Идея в том, чтобы разделить УУ на два "канала", скоростной и медленный. Скоростной формирует крутые фронты, медленный держит полку вых. импульса.

Фронты формируются цепочками послед. соединенных транзисторов (с выравниваним потенциалов в закрытом состоянии) с трансформаторным управлением для каждого транзистора. На транзистор подается короткий отпирающий импульс (например, 70 нс), после чего он активно запирается. Полки формируются любым удобным способом, например, лампой или каскодной транзисторной схемой.

[ikm]

Давно, лет 30 назад, делал УУ для ЭОМ, даже авторское получил. Идея в том, чтобы разделить УУ на два "канала", скоростной и медленный. Скоростной формирует крутые фронты, медленный держит полку вых. импульса.

Фронты формируются цепочками послед. соединенных транзисторов (с выравниваним потенциалов в закрытом состоянии) с трансформаторным управлением для каждого транзистора. На транзистор подается короткий отпирающий импульс (например, 70 нс), после чего он активно запирается. Полки формируются любым удобным способом, например, лампой или каскодной транзисторной схемой.

Я как раз и писал про 2 канала(плеча).
Полка сейчас формируется намного проще: ставится ШИМ и мотается импульсный трансформатор(На феррите RM10), на выходе трансфоматора получается 500 В(это из 12 В*2обмотки), далее ставится умножитель и всё.Токи большие не нужны т.к. нагрузка чисто ёмкостная.
По поводу импульса мне нужен именно переднй фронт, а до длительности и тем более заднего фронта мне нет особого дела.А по поводу трансформаторного управления для каждого транзистора, это мотается одна обмотка на каждый транзистор? И что значит активно запирается?

[=AK=]

А по поводу трансформаторного управления для каждого транзистора, это мотается одна обмотка на каждый транзистор? И что значит активно запирается?

Даже лучше если отдельный трансик на каждый транзистор. Чтобы меньше было взаимное влияние вторичных в момент переключения. Там и так будет много геморра из-за огромного dV/dt. Я думаю, первичку и вторичку придется заключать в экраны, каждую в свой отдельный.

"Активно запирается" в смысле, что запирающий фронт формируется примерно так же, как открывающий. Первичка драйвится не открытым коллектором, а, скажем, полумостом. Впрочем, вам, кажется, это не важно.

[ikm]

Даже лучше если отдельный трансик на каждый транзистор. Чтобы меньше было взаимное влияние вторичных в момент переключения. Там и так будет много геморра из-за огромного dV/dt. Я думаю, первичку и вторичку придется заключать в экраны, каждую в свой отдельный.

"Активно запирается" в смысле, что запирающий фронт формируется примерно так же, как открывающий. Первичка драйвится не открытым коллектором, а, скажем, полумостом. Впрочем, вам, кажется, это не важно.

А разве при открывании кажго транзистора можно достичь требуемых фронтов до 12нс.Сейчас что мне попадались транисторы это Mosfet от Nec там время открытия 5 нс, но когда их 7 штук разброс по открытию думаю будет большой.

"Активно запирается" в смысле, что запирающий фронт формируется примерно так же, как открывающий. Первичка драйвится не открытым коллектором, а, скажем, полумостом. Впрочем, вам, кажется, это не важно.

Т.е. закрывается отрицательным импульсом.
Для самообразования всё интересно.

[=AK=]

А разве при открывании кажго транзистора можно достичь требуемых фронтов до 12нс.Сейчас что мне попадались транисторы это Mosfet от Nec там время открытия 5 нс, но когда их 7 штук разброс по открытию думаю будет большой.

Дык, если для каждого по отдельности этого не удастся достичь, то при управлении всеми скопом тем более не получится, имхо. Как я понимаю, одна из задач - не выжечь транзюки слишком большим током управления, втекающим в затвор. И еще - добиться "равномерного" открывания, иначе "запоздавший" транзюк пробьется от перенапряжения. При групповом управлении этого труднее будет добиться, т.к. каждому транзюку надо перезаряжать нагрузочную емкость, а также межобмоточную емкость своего транса и емкость монтажа, а размах зависит от положения транзюка в цепочке. Поэтому "холодным" (т.е. близким к земле) транзюкам будет легче, чем "горячим".

[ikm]

Как я понимаю, одна из задач - не выжечь транзюки слишком большим током управления, втекающим в затвор. И еще - добиться "равномерного" открывания, иначе "запоздавший" транзюк пробьется от перенапряжения.

как раз смысл именно в том что при открывании ближнего к земле на остальных возникает перенапряжение.И если базу(или затвор через ёмкостной делитель) каждого транзистора присоеденить к эметеру(или истоку соответствено), то протекающий через транзисторы ток их откроет, и они не успеют выгореть.