1. По поводу подзатворного окисла у MOS и PIP. Знакомый технолог-тополог расказал чно они делаются из разных материалов (и не только по толщине), и подзатворный диэлектрик у MOS намного точнее.
2. По поводу Lmax и Wmax. В наших спайсах ругается начиная от L=150u и W=200u, и просит разбить.
3. По поводу разбиения на части: собственно результаты моделирования (а именно частота генератора)
a) W=160 L =100 M=1 --->Fosc=~100K
W=16 L =100 M=10---> Fosc=~102K
c) W=16 L =100, 10 транзисторов в параллель (M=1!!!) --->Fosc=~101K
d) W=160 L=10 M=10 --->Fosc=~95K
e) W=160 L=10 10 транзисторов в параллель (M=1!!) ---->Fosc=~89K
Собственно из d) и e) видно влияние CGDO и CGSO.
Собственно задали вопрос на фабрику, по корректности результатов моделирования (в смысле точности MOS конденсатора) с нетерпением жду ответа.
Тема остается очень октуальной. Какие новые идеи?
MOS как конденсатор-делимся опытом
Jan 17 2007, 17:23
. Собсна из теории все знают что подзатворная емкость MOS пропорциональна Tox. Т.е. если использовать в диапазоне напряжений начиная от 2*Vth он работает как сносный конденсатор. Разработал схему . Обычную. Два компаратора, зеркала для зарядного и разрядного токов RS триггер и там еще по мелочи. Промоделировал по всем спайсам температурам и напряжениям. Результат изумительный. Точность подтверждается и находится в раене 3,5%(видно остальные транзисторы в схеме компенсируют уход по спайсам). 
