Управление Электро-оптическим затвором, Генератор короткого высоковольтного импульса Опции

[ikm]

Уважаемые господа, возникла необходимость сделать схему для управлени ЭОЗ. Есть несколько идей и путей их реализации:
1)В одном "плече" создать постоянное высоковольтное(до4,5 кВ) напряжение, во втором делать отрицательный(относительно земли) короткий импульс тойже амплитуды.Оба плеча соеденены между собой кондёром.ЭОЗ подключен одной обкладкой к 1-му плечу второй к земле.Второе плечо сделано по схеме Маркса либо на PNP либо на MOSFET.

2)В одном "плече" создать постоянное высоковольтное(до4,5 кВ) напряжение и его просто замыкать на землю.Здесь в качестве ключа можно использовать последовательное соеденение нескольких NPN или mosfet работающих в режиме "пробоя".

Требование к выходному сигналу: Постояная полка в 4,5 кВ падает до нуля(фронт спада не более 12 нс, длительность от 100 нс до 5мкс) с частотой повторения до 1 кГц.

Кто сталкивался с подомного рода схемами. И какие советы по выбору семы можете дать.

[khach]

Вот прекрасное место для курения реальных схем драйверов
http://home.btconnect.com/KENTECH/data_sheets.html
Импульс просаживать полностью до нуля ненадо- все равно кристалл имеет остаточные напряжения и плоскость поляризации надо доворачивать механической юстировкой.
ВВ- генератор высокого напряжения.
Емкость важна, т.к она в первую очередь определяет рассеяную мощность на транзисторах ключа. А у коаксиальных кабелей она немаленькая. А при неэкранированных кабелях помехи такие...
Средняя точка моста (виртуальная)- земля.

[ikm]

Извините что пропал. Собирал схему. Выбрал вариант с каскадом mosfet по схеме Baker-а. Mosfet-ы выбрал фирмы NEC время открывания 5 нс при Rg=10 Ом.В каскаде стояло от 3 до 5 транзисторов. Фронт получил 5-7 нс. Смущает то,что фронт не зависит от драйвера который открывает первый транзистор(менял от 2А до 30 А).Решил поставить IGBT транзистор на 1500 в время открытия по PDF 60 нс при Rg=4,5 Ом,а в реале у него при открывании драйвером оказалось время открытия тоже 5 нс.Так вчём преймущество таких сложных схем если можно поставить два транзистора и дело в шляпе.Кстате у Baker-а фронт получился 3 нс на более медленных(по PDF) транзисторах. Может я не доконца понял принципа такой схемы, или 5нс это предел для п/п.

[Krys]

Выбрал вариант с каскадом mosfet по схеме Baker-а.

ПОдскажите, пожалуйста, что за Бакер. Можно взглянуть на Вашу схему или на первоисточник?
Спасибо.