Разработка бандгапа - поделитесь опытом Опции

[evi]

Господа, кто нибудь разрабатывал бандгапы в КМОП, поводил до массового производства? Поделитесь опытом.

- Делали ли подстройку рабочей точки и если да, то каким образом? Как подстраивать в массовом производстве и попасть на пик, если нет возможности температурного теста на потоке?
- Какой реальной стабильности по температуре и точности удалось достичь?
- Какое получилось реально напряжение пика? У меня симулятор выдает близко к 1,24В, т.е. как по учебнику, а в реальности тесты дают 1,18 В. Я в недоумении. Наверно модели биполярников недостаточно точны для бандгапа?

Сообщение отредактировал evi - Dec 3 2006, 19:25

[chairman]

1. Если разница между результатами моделирования и измерений вас не устраивает, покопайтесь в моделях и опциях симулятора, в своем тестбенче.

2. Даже если у вас есть только типичные модели, источниками напряжения можно повариировать пороговое напряжение до +/- 20% - это типичное покрытие разброса 3sigmasnsp & 3sigmafnfp.

3. Поинтересуйтесь до каких температур могут быть достаточно точно описаны ваши модели. За границами этого диапазона они обычно линеаризуются и не отображают точного поведения.

4. В "стандартной" или "цифровой" КМОП технологии на подложке р-типа обычно используется диод р+-n-карман. Это "паразит", который мониторится не всеми фабами. Но разброс характеристик даже этого паразита меньше, чем разброс параметров МОПТ. Разброс Vbe вверх-вниз оборачивается линейной зависимостью выходного напряжения от этого разброса.

5. Учли ли вы "разсогласование" aka mismatch? При этом дизайнер обычно вспоминает Пелгрома, кстати есть несколько изысков, подтверждающих его правоту как минимум до 0.05мкм. В статье можете посмотреть разброс Vbg на одной пластине (Рис. 9).

http://www.stanford.edu/class/ee371/handouts/pelgrom89.pdf

6. "Стандартных" БГ много. Подстройка действительно проводится по темп. зависимости и по уровню выходного напряжения и более или менее одинакова для всех "стандартных" типов.