Как ввести 5.5V через IOs в TSMC 0.18u Опции

[evi]

Кто-нибудь сталкивался с такой проблемой: как ввести 5.5 В через IOs в TSMC 0.18u ? Нужно ввсести 5.5 В в чип для зарядник батареи, но даже в высоковольтных IOs из библиотеки TSMC 0.18u шина ESD вроде (согласно документации) должна подключаться к напряжению не более 3.6 В, т.е. вряд ли VDD IO пропустит 5.5 В.

[chairman]

Если еще актуально, то вот:

Около 5 лет назад для "стандартной" 1.8/3.3В 0.18мкм (Chartered) пришлось делать 5V Tolerant Interface. Компания была небогатая, поэтому и защиту от электростатики, входы и DC-DC на 3.3В, и 1.8В из 5В пришлось делать самим. Никаких библиотек или стандартных ячеек и в помине не было. Основная проблема со входом - 3.3В n-МОП транзистор с диэлектриком порядка 7.8 нм. Т.е. напрямую 5В на затвор не подашь, плюс 3 домена разных напряжений питания. Со входом выкрутились очень просто - он должен был быть очень быстрым, поэтому триггер Шмита отвергли.

Сделали так:

_
|_|___|N |__OR


где О = пад,

3.3В НМОПТ смещен постоянно внутренним питанием 3.3В (затвор), исток через ЕСД на пад, сток на "ИЛИ" с чип енейблом. Body Effect заботился о необходимом гистерезисе, а на пряжение на входе ИЛИ посчитайте сами. К счастью диод истока выдерживал примерно 6В потом Зенеровское туннелирование от 5.5-6В сглаживало сигнал и помогало структрам по защите от ЭСР на малых токах. Если же защита не срабатывала ЭС импульс убил бы схему. Опять же к счастью, спроектированная защита сработала.