Как определить rase time у Mosfet, Оличие значений в PDF от реальных Опции

[ikm]

Использовал высоковольтные Mosfet различных производителей.Сбацал тестовую платку с возможностью подключения различных драйверов.И получил занятные результаты: у всех транзисторов время роста оказалось гораздо меньше 3-7 нс против 35-100 нс.Сразу оговорюсь я смотрел время спада напряжения на сток-исток, а не время возростания тока как описано в PDF.Токи протекающие в моей схеме гораздо меньше до 5А в импульсе, против 19-30А которые могут они держать.Единственное совпадение оказалось у транзистора NEC у него rase time 5нс.Отсюда вопрос как я могу заранее просчитать время спада напряжения, токи у меня будут маленькие.

P.S. Если что не понятно написал могу объяснить.

[yrbis]

во-первых время открытия транзистора раза в 2 меньше времени закрытия, во-вторых завист от режима схемы, ёмкость сток-затвор пересчитывается с коэффицентом усиления на вход и добавляется к ёмкости затвор-исток т.е. чем больше напряжение СИ тем больше постоянная времени в цепи "драйвер-транзистор";

[ikm]

во-первых время открытия транзистора раза в 2 меньше времени закрытия, во-вторых завист от режима схемы.

Я наверное слишком запутано написал.Я всё время имел ввиду rise Time, просто это значение времени роста тока через транзистор,а меня интересует маленькие токи меньше чем можно вытащить из графика Tr\Ic.
А режим схемы у меня такой: стоит драйвер выходное сопротивление 0,6 Ом максимальный выходной ток 30 А.Транзистор при окрытии закрачивает емкость(около 10 пФ) с частотой около 1 кГц и всё

А про

ёмкость сток-затвор пересчитывается с коэффицентом усиления на вход и добавляется к ёмкости затвор-исток т.е. чем больше напряжение СИ тем больше постоянная времени в цепи "драйвер-транзистор";

можно поподробнее, если не затруднит в формулах.