Вопрос по работе с SDRAM Опции

[alex_k]

В своих разработках все время использовал статическую память – микросхемы довольно доступны, написание контроллеров довольно несложное и т.д. Сейчас широко используется более быстрая, более дешевая и намного больших объемов динамическая память. Порылся в сети, нашел кучу девайсов на которых установлена SDRAM в том числе и DDR в том числе и на DIMM. Порылся еще, нашел кучу исходников корок контроллеров, которые якобы реально работают. Сложилось ощущение что с этим уже давно и успешно работают. В связи с этим имеется вопрос.

Есть плата на которой установлено АЦП, статическая память и плисина. В плисине работает автомат который забирает данные с АЦП и пишет в память. Частота работы АЦП и памяти 100 МГц. Если переделать данную плату для установки динамической памяти, допустим скорость работы памяти все те же 100 МГц, сможет ли данная система писать в память непрерывный поток данных с частотой 100 МГц. Позволяет ли это архитектура самой динамической памяти. Может кто подскачет хороший материальчик почитать.

[prototype]

И как можно обойтись без буфера?

Можно, но лучше не надо. Головной боли будет меньше.

И нельзя ли пояснить, что значит "использовать банки с перекрытием"?

Есть такое понятие - интерлив, или чередование по-русски. Смысл в том, что пишутся данные в пакетном режиме в одну микросхему на полную длину строки. Замечу только, что надо выбирать СДРАМ умеющий записывать в пакете полную строку. У самсунгов и хайниксов в этом плане всё в порядке. Другая инициализируется точно вовремя, для того чтобы запись в первую ячейку второй микросхемы была в следующем такте после последней записи в первую микросхему. Вообще говоря обычно СДРАМ имеет четырёхбанковую архитектуру. Если вам достаточно общей длины пакета непрерывной записи в 2000 отсчетов (четыре банка на 512 слов ), то можно обойтись одной микросхемой. 512 слов - это длина строки для 128 и более мегабитных чипов 16-ти битной разрядности. Если чип 8-ми битной организации - строка вдвое длинней. Хотя про это пишут в даташитах . Банки тоже можно чередовать для непрерывной записи, но когда запишите последний, то увы неизбежен пречардж, рефреш и ждать время для новой инициализации процесса записи, если читать не надо никогда вообще.

[Andrey Filippov]

Замечу только, что надо выбирать СДРАМ умеющий записывать в пакете полную строку.

Совершенно не обязательно, burst=8 (4 такта у DDR SDRAM) вполне хватает для организации перекрытия (см картинку выше).

  Банки тоже можно чередовать для непрерывной записи, но когда запишите последний, то увы  неизбежен пречардж, рефреш и ждать время для новой инициализации процесса записи, если читать не надо никогда вообще.

Почему? После банка 3, например, может идти опять банк 0, а precharge и activate вполне "прячутся" во время обмена с активным банком.