Увеличение количества циклов записи в EEPROM, как правильно программно? Опции

[smk]

В программе используется переменная "char n". Всякий раз при включении она инкременируется и по достижении определенного значения - обнуляется. Чтение-запись происходит примерно 1 раз в секунду. При количестве циклов 100 000, надолго одной ячейки не хватит. Есть необходимость писать поочередно во все ячейки EEPROM. Как это сделать правильно, при условии что между любыми двумя циклами чтения-записи контроллер отправляется в "powerdown". Кто-то делал подобное? Как это можно сделать вообще, ведь адрес тоже нужно где-то помнить?

Буду крайне признателен за подсказки и примеры!

[CDT]

... Выделяем кусок ЭПРОМ, в котором храним счетчик
... При каждом сохранении в старых ячейках пишем $FF а в новых счетчик
... При чтениии от начала ищем not $FF и тем самымым выходим на запись.

... Таким образом при счетчике в 4 байта и перезаписи с частотой 1 Гц всей памяти хватит на 148 суток. Не густо.

Код

FM25256
256K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 32,768 x 8 bits
• Virtually Unlimited Endurance (10^14 Cycles)
• 10 Year Data Retention
•Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI
• Up to 15 MHz Frequency

[mse]

Код

FM25256
• Virtually Unlimited Endurance (10^14 Cycles)

Да, ФРАМ здесь самато. Реально ресурс, коншна, гораздо меньше. На Телесиське проскакивала цыфра 1е9, вырванная с кровью из интимного места техподдержки. Кроме того, у ФРАМ чтение разрушающее. Т.е. его ресурс как ПЗУ сильно ограничен. В отличие от режима ОЗУ или ЕЕПРОМ-флэш. Там наоборот.

[Nanobyte]

...Кроме того, у ФРАМ чтение разрушающее. Т.е. его ресурс как ПЗУ сильно ограничен. В отличие от режима ОЗУ или ЕЕПРОМ-флэш. Там наоборот.

Почему это чтение с триггеров разрушающее? И чем отличается режим ПЗУ от ОЗУ?