Увеличение количества циклов записи в EEPROM, как правильно программно? Опции

[smk]

В программе используется переменная "char n". Всякий раз при включении она инкременируется и по достижении определенного значения - обнуляется. Чтение-запись происходит примерно 1 раз в секунду. При количестве циклов 100 000, надолго одной ячейки не хватит. Есть необходимость писать поочередно во все ячейки EEPROM. Как это сделать правильно, при условии что между любыми двумя циклами чтения-записи контроллер отправляется в "powerdown". Кто-то делал подобное? Как это можно сделать вообще, ведь адрес тоже нужно где-то помнить?

Буду крайне признателен за подсказки и примеры!

[CDT]

... Выделяем кусок ЭПРОМ, в котором храним счетчик
... При каждом сохранении в старых ячейках пишем $FF а в новых счетчик
... При чтениии от начала ищем not $FF и тем самымым выходим на запись.

... Таким образом при счетчике в 4 байта и перезаписи с частотой 1 Гц всей памяти хватит на 148 суток. Не густо.

Код

FM25256
256K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 32,768 x 8 bits
• Virtually Unlimited Endurance (10^14 Cycles)
• 10 Year Data Retention
•Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI
• Up to 15 MHz Frequency

[mse]

Код

FM25256
• Virtually Unlimited Endurance (10^14 Cycles)

Да, ФРАМ здесь самато. Реально ресурс, коншна, гораздо меньше. На Телесиське проскакивала цыфра 1е9, вырванная с кровью из интимного места техподдержки. Кроме того, у ФРАМ чтение разрушающее. Т.е. его ресурс как ПЗУ сильно ограничен. В отличие от режима ОЗУ или ЕЕПРОМ-флэш. Там наоборот.

[Nanobyte]

...Кроме того, у ФРАМ чтение разрушающее. Т.е. его ресурс как ПЗУ сильно ограничен. В отличие от режима ОЗУ или ЕЕПРОМ-флэш. Там наоборот.

Почему это чтение с триггеров разрушающее? И чем отличается режим ПЗУ от ОЗУ?

[mse]

Почему это чтение с триггеров разрушающее? И чем отличается режим ПЗУ от ОЗУ?

Если бы там были триггера, то она бы была золотая. Проскальзывал документ ихний про кол-во считываний без регенераццыи. Давно, правда.
А вот этим и отличается: в ОЗУ пишем-читаем, а из ПЗУ тока читаем.

[Сергей Борщ]

Если бы там были триггера, то она бы была золотая. Проскальзывал документ ихний про кол-во считываний без регенераццыи. Давно, правда.

Давно, потому и забылось, видать. Принцип там такой: при записи электрическим полем сдвигается атом в кристалле ферроэлектрика. При прохождении атомом энергетического барьера возникает импульс тока. В процессе чтения также прикладывают поле. Если зарегистрирован импульс - значит бит был запрограммирован. Но атом в процессе этого чтения уже занял исходное положение, информация разрушена (отсюда название "разрушающее чтение"). Поэтому считанное значение тут же аппаратно записывается обратно.
FRAM technology basics
Кстати поэтому для этих памятей ограничено (раньше было, во всяком случае) не количество записей, а количество обращений к ячейке. Ибо чтение = стирание + запись.