TMS470R1A256 memory map непонятки Опции

[Vladimir Chekin]

Люди, хелп. Перерыл всю имеющуюся у меня документацию на этот камень, но не смог найти ответ на простой вопрос - начальные адреса для RAM и HET RAM. В описании камня пишут:
---------
Memory Selects
Memory selects allow the user to address memory arrays (i.e., flash, RAM, and HET RAM) at user-defined
addresses. Each memory select has its own set (low and high) of memory base address registers (MFBAHRx
and MFBALRx) that, together, define the array's starting (base) address, block size, and protection.

The base address of each memory select is configurable to any memory address boundary that is a multiple of
the decoded block size.
---------
Как понимать "user-defined"? Разве начальный адрес внутренней RAM не должен быть физически задан в адресном простанстве конкретного камня?

Зачем для FLASH и RAM по два базовых адресных регистра? Правильно ли я понимаю, что перед тем как первый раз обратиться к RAM я должен проинициализировать пару MFBAxR2 и(или)MFBAxR3. Для чего нужны Coarse select регистры MCBAxRx?

[IV_K]

получается что так.. настраиваемый.. я обычно беру инициализацию из примеров.. иногда области меняю, вроде пока все работает..
да.. главное чтоб адреса в инициализации и xcl файле совпадали