Датчик тока в полумосте., Куда запихнуть? Опции

[A.T.Tappman]

Куда вставить датчик тока в двухтактном полумосте с выводом от средней точки? Преобразёр будет на SG3524 (аналог TL494).

[Bludger]

Надо бы на схемки взглянуть, чтобы получить более предметное представление о сабдже, а также узнать их характеристики (КПД, мощность, и т.д). Уверен, защита там комбинированная, возможно, и температурная коррекция имеется.
ЗЫ. А там тоже используется мост из двух транзисторов и транса со средней точкой?

Нет, там бак, как я уже писал. Схемки практически не отличаются от рекомендованных в ДШ. Посмотрите, TPS40057. Классический вариант - вход 12В, выход 5В, 16А, КПД порядка 96%.
Видите ли, такой подход может быть с теоретической точки зрения и не совсем корректен - но на практике в большинстве случаев себя оправдывает и показывает с очень и очень хорошей стороны

Кроме того, с помощью датчика тока на ТТ можно сделать хорошее симметрирование и в Voltage Mode. С ходу не назову, но есть ШИМ-контроллеры с модуляцией относительной скважности плеч, каковые, безусловно, можно применить в данной задаче.

Вопрос - а нах? Если есть сигнал тока, то логичнее пострить Current Mode - симметрирование там происходит автоматически плюс еще куча полезных фич. VM используют тогда, когда проблематично получить токовый сигнал, как в тех же POL-конверторах.

[Stanislav]

Нет, там бак, как я уже писал...

Простите, но здесь идёт обсуждение конкретной задачи, а для её успешного решения нужно в первую очередь прояснить вопрос о симметричности токов через плечи моста, пусть даже Автор темы это ещё не осознал в полной мере. Мне кажется, что лучший подход, чем датчик тока на ТТ, предложить трудно.

...Вопрос - а нах? Если есть сигнал тока, то логичнее пострить Current Mode - симметрирование там происходит автоматически плюс еще куча полезных фич...

Не спорю. Вопрос, однако, в данный момент состоит не в этом.

"небольшая часть кристалла" - это и есть полевик, а остальная часть кристалла - это много таких же полевиков, включенных параллельно.

Не совсем так.
В ПТ, о которых я говорю, затвор и сток представляют из себя на кристалле единые структуры, а исток разделён на две части: большой площади и малой площади, от которых сделаны отдельные выводы.
Если посадить "толстый" вывод на землю непосредственно, а тонкий - через малый резистор, то можно говорить, что плотность тока через площади истоков будет примерно одинаковой, а общий ток будет равен току "тонкого" вывода, помноженному на (1+отношение площадей). Видел такие у IR, Hitachi и Philips.
Вы же пытаетесь использовать совершенно иной принцип: измерение напряжения на канале ПТ. О его недостатках я уже писал. Если резистор в истоке сделать очень малым, это всё равно не даст "правильного" тока через основной ПТ - транзисторы-то разные.
Прошу прощения за некоторую вольность изложения.

...Я думаю, что полезно распространять такой способ локальной защиты на все критические компоненты...

Можно-то можно, только зачем? При правильном расчёте схемы, общей токовой и температурной защиты должно быть достаточно. Да и дорого такое удовольствие обойдётся - наверное, о нём имеет смысл говорить, когда мощность измеряется киловаттами, и/или суммарная стоимость аппаратуры достаточно велика.