реклама на сайте
подробности

 
 
> NAND Flash K9F1208U0B, BAD блоки
tsvtsvtsv
сообщение May 3 2007, 11:39
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 6
Регистрация: 18-03-07
Пользователь №: 26 279



Уважаемые, если после Page Programm Operation, Status сообщает об ошибке, то можно перейти к новой странице и опять повторить запись из своего буфера (внешнего), но у NAND Flash есть команды Copy-Back Programm (Duammy) и Copy-Back Programm (True). Вопросы 1.Можно-ли применить эти команды, и какова последовательность кодов в данной ситуации? 2.Есть-ли у кого статистика таких отказов, как часто возникают?. 3. Данную страницу пометить как Bad, или пометить весь блок как ВAD. Заранее благодарен!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
tsvtsvtsv
сообщение May 4 2007, 10:26
Сообщение #2





Группа: Новичок
Сообщений: 6
Регистрация: 18-03-07
Пользователь №: 26 279



Спасибо Alex 11!
Вопросы далее.
1. Если после Page Programm Operation сообщается об ошибке, то
а. Возникла какая-то системная ошибка не связанная с плохой ячейкой и можно попробовать
повторить попытку?
б. Нет, ошибка всегда означает плохую ячейку и тогда-
б1. Пометить страничку как BAD, перейти на следующую страницу.
б2. Пометить весь блок как BAD, перейти на следующий блок.
2. Метит-ли внутренний контроллер NAND Flash сам в SPARE AREA новые BAD блоки
3. Каково назначение остальных областей в SPARE AREA? (LSN, ECC, S-ECC)
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 20th August 2025 - 05:06
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01331 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016