реклама на сайте
подробности

 
 
> QuartusII TimeQuest TA & ASRAM
vetal
сообщение May 20 2007, 00:34
Сообщение #1


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 2 095
Регистрация: 27-08-04
Из: Россия, СПб
Пользователь №: 553



вот.
Задача:
Как правильно "обконстрейнить" микросхему асинхронного озу типа 256k*16 asram(например http://www.samsung.com/products/semiconduc...K6R4016V1D.htm)?
Интересен пример и,по возможности, методика взаимодействия с асинхронной памятью.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
CodeWarrior1241
сообщение May 20 2007, 04:48
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 496
Регистрация: 14-03-07
Из: In The District
Пользователь №: 26 165



Цитата(vetal @ May 19 2007, 20:34) *
вот.
Задача:
Как правильно "обконстрейнить" микросхему асинхронного озу типа 256k*16 asram(например http://www.samsung.com/products/semiconduc...K6R4016V1D.htm?
Интересен пример и,по возможности, методика взаимодействия с асинхронной памятью.

Мне еще не приходилось работать с async SRAM, поэтому вопрос: чем методика взаимодействия с async SRAM типа Вашего самсунга отличается от обычного sync SRAM (бех всех выкрутасов про ZBT and Quad Data Rate, etc.) Разве constraint для async SRAM будет сильно отличатся от того же самого для sync?
И, собссно, чем constraint от самсунговой SRAM будет отличатся от того же для IDT, сделанной под тем же процессом, с похожими параметрами? Модель в верилоге я приложил...
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  idt71v416s10.txt ( 11.21 килобайт ) Кол-во скачиваний: 144
 


--------------------
In Mozilla, you keep tabs on your browser. In the USSR, your browser keeps tabs on you.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 20th July 2025 - 08:31
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.02247 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016