Учет паразитных элементов при проектировании согласующих цепей УМ Опции

[RFMAN]

В MWO по Zin и Zout построил входные и выходные цепи широкополосного усилителя мощности на RD70HVF1. Реальная конструкция усилителя сперва не заработала (вместо 50 Вт в полосе 430...470 МГц получил 22 Вт). Замечу, что сопротивления этого транзистора очень малы (Zin = 0.74 - j0.34, Zout =0.71 - j0.18)
После замены номиналов некоторых конденсаторов в согласующих цепях 50 Вт в полосе получил. Ввел полученные (реально работающие!) согласующие цепи в MWO - оказались плохими (частотные характеристики сдвинуты вверх по частоте по сравнению с практическим результатом).
Пытаюсь разобраться, в чем дело.
Подозрение пало на паразитные индуктивности выводов стока и затвора транзистора. От корпуса до места пайки к контактным площадкам выводы тянутся аж на 1-2 мм по воздуху (ближе припаять невозможно). Фланец транзистора (исток) соединяется с землей платы широкой перемычкой из толстой медной фольги. Видно причина несовпадений расчета и практики в этом.
Короче говоря, хотелось бы услышать от разработчиков, кто и как учитывает паразитные емкости/индутивности при проектировании мощных широкополосных УМ. Ведь Zin и Zout измеряются производителем в прецизионных установках!

[RFMAN]

Фото куска усилителя.
Параметры:
Pвых > 50 Вт (после ФНЧ)
Iпотр =< 11 А
Епит = 13.6 В
Полоса по уровню 1 dB: 410...480 МГц (со включенной автоматической регулировкой Рвых).
Неравномерность Рвых в полосе 420...470 МГц < 0.3 dB
Уровень гармоник и паразитных составляющих < 70 dB.
Возможность установки выходной мощности от 3 до 50 Вт.

Сообщение отредактировал RFMAN - Aug 30 2007, 06:27

Эскизы прикрепленных изображений

 

[ikolmakov]

Фото куска усилителя.
Параметры:
Pвых > 50 Вт (после ФНЧ)
Iпотр =< 11 А
Епит = 13.6 В
Полоса по уровню 1 dB: 410...480 МГц (со включенной автоматической регулировкой Рвых).
Неравномерность Рвых в полосе 420...470 МГц < 0.3 dB
Уровень гармоник и паразитных составляющих < 70 dB.
Возможность установки выходной мощности от 3 до 50 Вт.

Поздравляю!
Я сам всегда занимался пассивом, но вот теперь усилки разрабатывать надо будет. Я не понял что это у вас за транзистор посредине. Это что, если не секрет?
По поводу цепей согласования: а вы учитывали при моделировании влияние уголков и связи в секциях параллельных линий (в изгибах полоска) ?
Возможно проще вам будет моделировать электродинамику в CST - там просто сосредоточенные элементы ввести в модель.