реклама на сайте
подробности

 
 
> ещё парочка вопросиков =), ТУКы
st-t
сообщение May 17 2005, 17:10
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 18
Регистрация: 13-05-05
Пользователь №: 4 990



1. как можно уменьшить вых. сопротивление транзисторного усилительного каскада и что этому препятствует?
препятствует наверно то, что усиливать будет хуже? а до какого тогда предела можно его уменьшить и есть ли ешё причины?

2. какая разность потенциалов коллектора и эмиттера на схеме?
Прикрепленные изображения
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
dxp
сообщение May 18 2005, 04:08
Сообщение #2


Adept
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 469
Регистрация: 6-12-04
Из: Novosibirsk
Пользователь №: 1 343



Цитата(st-t @ May 17 2005, 23:10)
1. как можно уменьшить вых. сопротивление транзисторного усилительного каскада и что этому препятствует?
препятствует наверно то, что усиливать будет хуже? а до какого тогда предела можно его уменьшить и есть ли ешё причины?

Выходное сопротивление каскада - это выходное сопротивление транзистора (которое большое - десятки и более килоом) и параллельно ему сопротивление нагрузки R. Если уменьшить R, то и соответственно уменьшится выходное сопротивление каскада. Но при этом пропорционально уменьшится и усиление. Которое можно скомпенсировать путем увеличения эмиттерного сопротивления. Правда при этом возрасет ток покоя. В общем, кардинально тут выходное сопротивление не уменьшишь без ушерба к остальным харатктеристикам каскада, лучше не сопротивление нагрузки транзистора уменьшать, а поставить повторитель - это даст гораздо больший эффект (сопротивление уменьшится в бета раз; бета - коэффициент передачи по току).

Цитата(st-t @ May 17 2005, 23:10)
2. какая разность потенциалов коллектора и эмиттера на схеме?
*

Некорретный вопрос. Ответ неоднозначен.

Если R = 1K, то ток эмиттера приблизительно (2В-0,65В)/2К = 0,675мА, пренебрегая небольшим током базы, получаем падение на нагрузке: 0,675*1К = 0,675 В. Напряжение на коллекторе: 10В - 0,675В = 9,325 В. Напряжение на эмиттере: 1,35В, разность между коллектором и эмиттером: 7,985В. Конечно, такой точности в реальности не получится - разборос номиналов, а главное, Uбэ не равно в точности 0,65В, а находится в пределах от 0,6В до 0,7В и весьма зависит от типа транзистора, протекающего тока и температуры перехода.

Если R = 1М, то транзистор находится в насыщении и разность потенциалов коллектора и эмиттера мала - от 0,1В до 0,4В, в зависимости от типа тразистора.

Уфф... Что-то меня прорвало на арифметику... Как в старые добрые времена smile.gif Короче, если хотите разбираться в этой кухне, штудируйте ХиХ - там все эти моменты очень замечательно расписаны. Есть куча примеров и упражнений. И моделируйте в Спайсе, Микрокапе или любом другом доступном симуляторе электронных схем.


--------------------
«Отыщи всему начало, и ты многое поймёшь» К. Прутков
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd July 2025 - 08:57
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.06811 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016