реклама на сайте
подробности

 
 
> Новые разработки транзисторов, Siret-транзисторы
pplefi
сообщение Oct 30 2007, 09:41
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 58
Регистрация: 17-08-07
Пользователь №: 29 853



Для опробования разработчикам радиоаппаратуры предлагаются образцы новых изделий биполярных транзисторов (см.вложенный файл)
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  4_______Siret_VL029___VL030.DOC ( 89.5 килобайт ) Кол-во скачиваний: 153
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Herz
сообщение Oct 30 2007, 13:57
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(pplefi @ Oct 30 2007, 11:41) *
Для опробования разработчикам радиоаппаратуры предлагаются образцы новых изделий биполярных транзисторов (см.вложенный файл)

Я понимаю, что составные транзисторы не для скоростных приложений, но всё же странно, что не указано никаких параметров, характеризующих быстродействие этих конкретных приборов. Или плохо смотрел?
И вопрос из чистого любопытства: "предлагаются образцы" - это, как водится, бесплатные сэмплы?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
pplefi
сообщение Oct 31 2007, 11:54
Сообщение #3


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 58
Регистрация: 17-08-07
Пользователь №: 29 853



Цитата(Herz @ Oct 30 2007, 16:57) *
Я понимаю, что составные транзисторы не для скоростных приложений, но всё же странно, что не указано никаких параметров, характеризующих быстродействие этих конкретных приборов. Или плохо смотрел?
И вопрос из чистого любопытства: "предлагаются образцы" - это, как водится, бесплатные сэмплы?


Транзистор по схеме Дарлингтона из 3-х транзисторов предназначен для работы в схемах накачки лазеров с временем спада ≤500нс. Указанный в таблице транзистор имеет τсп ≤300нс.
Транзистор по схеме Дарлингтона из 2-х транзисторов имеет τсп ≤200нс. Однако, если управлять дополнительно по базе выходного транзистора (база выводится на отдельный вывод), то время спада снижается до уровня единичного транзистора. Область безопасной работы в несколько раз превышает ОБР обычного тр-ра и имеет слабую зависимость от fт, т.е. высокочастотный транзистор имеет практически сопоставимую ОБР с низкочастотным (с равномерно-легированной базой).
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 5th August 2025 - 18:01
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01377 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016