FLASH-EPROM, Отличия Опции

[RomanRom]

Что больше не пущает поставить в ATmega большой EEPROM вместо FLASH
1) высокая стоимость изготовления 2) большая площадь кристалла 3) сложность технологии 4) еще что-то

[GeorgyBey]

Сначала программная память (когда-то) писалась однократно ПЕРЕЖИГАНИЕМ проводящих перемычек в кристалле (размеры!).
Потом насобачились стирать ультрафиолетом (Стоимость кварцевого окна в корпусе!!).
Потом насобачились стирать (но все сразу) электрически - EEPROM.
Потом придумали FLASH - очевидно и размер меньше и стоимость, раз пожертвовали многократностью перезаписи. Но EEPROM оказался НУЖЕН для МНОГОКРАТНЫХ перезаписей. Пришлось его ТЕРПЕТЬ.
ATMEL где-то близко сидела к разработчикам Флаша, поэтому и "всплыла" со своими контроллерами, а PIC неумолимо канает Сами понимаете - "неродные" FLASH-разработчикам платят дороже за удовольствие применять.
Сейчас вовсю "всплывает" FRAM - скорость программирования (записи/чтения) 70нс (А не "сек"), размер ячейки еще меньше, чем у ФЛАШа, число перезаписей - неограничено
Так что кто-то сделает с ATMELом то, что она с PICом.

[makc]

Сейчас вовсю "всплывает" FRAM - скорость программирования (записи/чтения) 70нс (А не "сек"), размер ячейки еще меньше, чем у ФЛАШа, число перезаписей - неограничено   
Так что кто-то сделает с ATMELом то, что она с PICом.

Насчет FRAM - что-то не видно ее больших объемов. Сотни килобит, но не более. К тому же у FRAM есть один технологический недостаток перед EEPROM и FLASH - необходимость регенерации ячеек памяти при чтении. Хотя число циклов чтения без регенерации довольно велико...

PS: Для некоторых своих изделий RAMTRON приводит максимальное число циклов чтения/записи, для других говорит, что предела нет. Это тоже заставляет задуматься.

[vet]

PS: Для некоторых своих изделий RAMTRON приводит максимальное число циклов чтения/записи, для других говорит, что предела нет. Это тоже заставляет задуматься.

Это зависит от напряжения питания, в 5В приборах число циклов ограничено, в 3.3В - нет.

[makc]

PS: Для некоторых своих изделий RAMTRON приводит максимальное число циклов чтения/записи, для других говорит, что предела нет. Это тоже заставляет задуматься.

Это зависит от напряжения питания, в 5В приборах число циклов ограничено, в 3.3В - нет.

Согласен, на основе имеющихся данных можно сделать вывод, что этот параметр зависит от напряжения. Однако я, если честно, не могу понять причин связи между числом циклов перезаписи и напряжением питания. Ведь, если я правильно понимаю, то изменение напряжения питания не влияет на основной принцип работы данных схем памяти?