Для минимизации потерь на частоте 100 Кгц надо быстрое переключение а с индуктивной нагрузкой до 10 мГн и с медленным внутренним диодом при токе до 10 ампер придется поставить внешний фривил диод. Наверно еще снабер понадобится. Блин усложняется дело а хотел меньшим числом. Вроде бы обшее время перключения на период шим в 200-300 наносекунд устроит . Есть у вишая мосфет Si4642DY с внутренним шотки . Единственная беда на 30 В .
Rdson выбираю из предположения чтобы снизить потери в статике а то для 10 амперов это уже 10 Вт на транзистор при 100 миллиомах , для худшего случая . Вобшем печка получается. Понимаю что с ростом рдс мосфет становится медленней , плюс еще увеличение рдс с ростом температуры . А какое соотношение должно быть для времени восстановления диода фривила к времени переключения мосфета?
--------------------
Зачем лаять на караван , когда на него можно плюнуть?
|