реклама на сайте
подробности

 
 
> Мосфет Nch 20 А 200 В 100 кгц pwm, RDSon < 50 mOhm
_artem_
сообщение Dec 14 2007, 17:28
Сообщение #1


учащийся
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 065
Регистрация: 29-10-05
Из: города контрастов
Пользователь №: 10 249



время переключения tswitch < 0.2 usec на индуктивную нагрузку до 10 мГ рабочий ток до 10 А не более. Хочется на мотор найти чтото дешевое . Из ирф вроде бы IRFI4227PbF подходит. Но немного дороговат. Может бють есть кандидаты получше?


--------------------
Зачем лаять на караван , когда на него можно плюнуть?

Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
_artem_
сообщение Dec 15 2007, 01:31
Сообщение #2


учащийся
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 065
Регистрация: 29-10-05
Из: города контрастов
Пользователь №: 10 249



Про таблицы знаю - мосфет наверху нашел оттуда
Хотелось бы преварительно оценить потери на переключение и выбрать оптимальный транзистор.
Для частоты 100 кГц потери не переключение по формуле внизу уже состовляют немалую величину . Хотелось бы знать как форумчане делают предварительный расчет потерь (без измерения соотношения мошностей на рабочей схеме или градусника).

PDSWITCHING = (CRSS x VIN² x fSW x ILOAD) / IGATE

источник - http://pdfserv.maxim-ic.com/en/an/AN1832.pdf


--------------------
Зачем лаять на караван , когда на него можно плюнуть?

Go to the top of the page
 
+Quote Post
Stanislav
сообщение Dec 15 2007, 03:03
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 363
Регистрация: 13-05-05
Из: Москва
Пользователь №: 4 987



Цитата(_artem_ @ Dec 15 2007, 04:31) *
Хотелось бы преварительно оценить потери на переключение и выбрать оптимальный транзистор.
Про "оптимальный" не скажу - мне это слово без оговаривания конкретных условий работы транзистора не нравится. Попробуйте обратить внимание на Infineon, Philips(NXP), Vishay(Siliconix), Toshiba.
IRF давно и настойчиво делает г.... Если сейчас зайдёте на их сайт, высоковольтных ПТ уже не обнаружите - проиграли они соревнование, основанное, с их стороны, на чистой рекламе, в ущерб качеству приборов.
TrenchMOS, если не ошибаюсь, первыми начал делать Philips, ещё лет 7-8 назад. С тех пор, эта технология стала общепризнанной.

PS. Не гонитесь за малой статической величиной сопротивления - это часто приводит к ошибкам. Лучше всего, как мне кажется, выбирать прибор с балансом динамических (определяемых междуэлектродными емкостями и задержками/скоростями переключения транзистора), и статических потерь.
PPS. Ещё Fairchild забыл... Кстати, есть вероятность, что технологию TrenchMOS придумали именно они.


--------------------
Самонадеянность слепа. Сомнения - спутник разума. (с)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Dec 15 2007, 23:57
Сообщение #4


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Динамические параметры транзистора из даташита (задержка переключения и фронт) - измеряются в "типичных" для конкретного производителя условиях (последовательное с затвором сопротивление, внутренне сопротивление драйвера). У некоторых они совпадают, у некоторых нет. Вообще эти условия определяющие (наравне с емкостными параметрами ключа) Т.е. чисто по цифрам t_on/off, t_rise/fall можно сделать ошибочные выводы. При желании можно взять прибор с оптимизацией под статику (low Ron), а фронты форсировать запускающей цепью. Обратное не верно.

Цитата(Stanislav @ Dec 15 2007, 06:03) *
IRF давно и настойчиво делает г.... Если сейчас зайдёте на их сайт, высоковольтных ПТ уже не обнаружите - проиграли они соревнование

Они вроде не то, чтобы проиграли, просто оставили и продали направления в бизнесе по высоковольтным полевым и сильноточным шоткам Вишею как не самые перспективные. Сейчас деньги делают на полевых низковольтных сильноточных.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Stanislav
сообщение Dec 16 2007, 01:26
Сообщение #5


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 363
Регистрация: 13-05-05
Из: Москва
Пользователь №: 4 987



Цитата(Vokchap @ Dec 16 2007, 02:57) *
Динамические параметры транзистора из даташита (задержка переключения и фронт) - измеряются в "типичных" для конкретного производителя условиях (последовательное с затвором сопротивление, внутренне сопротивление драйвера). У некоторых они совпадают, у некоторых нет. Вообще эти условия определяющие (наравне с емкостными параметрами ключа) Т.е. чисто по цифрам t_on/off, t_rise/fall можно сделать ошибочные выводы. При желании можно взять прибор с оптимизацией под статику (low Ron), а фронты форсировать запускающей цепью. Обратное не верно.
Не очень понятно.
Дело с том, что даже при наличии "идеального" драйвера затвора, динамические потери, связанные с конечностью времени переключения транзюка (не обусловленные его междуэлектродными емкостями), весьма велики, и должны учитываться при расчёте потерь.
Немного оффтоппа: не так давно ткнули носом по поводу выбора транзистора в низковольтном импульсном преобразователе 1 МГц (для процессора BlackFin). Применённый мной IRLML6401 проиграл по скорости включения/выключения предложенным в замену FDN340P/FDN360P вчистую, (задержка сама по себе несущественна для КПД).
Кроме того, IRF-ы хуже многих отечественных транзисторов аналогичного назначения. Не понимаю, как IRF держался на плаву столько лет...

Цитата(Vokchap @ Dec 16 2007, 02:57) *
...Они вроде не то, чтобы проиграли, просто оставили и продали направления в бизнесе по высоковольтным полевым и сильноточным шоткам Вишею как не самые перспективные. Сейчас деньги делают на полевых низковольтных сильноточных.
ХЗ. Факт тот, что они резко сократили номенклатуру производимых приборов, и продались кому-то навроде Вишая (точно сказать не могу, но видел их баннер на сайте кого-то из грандов).
Короче говоря, ПТ IRF годятся только для статических применений. В динамике они - полное камно. Несколько попыток применить их в разработках (вследстие доступности) привели к осознанию необходимости не гоняться за дешевизной (информационной, прежде всего).


--------------------
Самонадеянность слепа. Сомнения - спутник разума. (с)
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- _artem_   Мосфет Nch 20 А 200 В 100 кгц pwm   Dec 14 2007, 17:28
- - rezident   А вы параметрическим поиском на сайтах производите...   Dec 14 2007, 18:11
||- - Vokchap   Цитата(Stanislav @ Dec 16 2007, 04:26) Де...   Dec 16 2007, 02:52
||- - Stanislav   Цитата(Vokchap @ Dec 16 2007, 05:52) Пояс...   Dec 16 2007, 03:04
||- - Vokchap   Цитата(Stanislav @ Dec 16 2007, 06:04) На...   Dec 16 2007, 03:46
|- - migray   Цитата(Vokchap @ Dec 16 2007, 02:57) Сейч...   Dec 24 2007, 02:37
|- - Muxa   Цитата(migray @ Dec 24 2007, 05:37) ... ...   Dec 25 2007, 00:14
||- - migray   Цитата(Muxa @ Dec 25 2007, 03:14) возможн...   Dec 25 2007, 08:23
|- - Vokchap   Цитата(migray @ Dec 24 2007, 05:37) А в н...   Dec 25 2007, 12:03
|- - migray   Цитата(Vokchap @ Dec 25 2007, 15:03) Но ч...   Dec 25 2007, 12:56
- - _artem_   Для минимизации потерь на частоте 100 Кгц надо быс...   Dec 15 2007, 15:39
|- - Stanislav   Цитата(_artem_ @ Dec 15 2007, 18:39) Для ...   Dec 15 2007, 17:21
- - _artem_   Спасибо всем ответившим. Завтра приведу схему. ...   Dec 17 2007, 17:00
|- - Muxa   Цитата(_artem_ @ Dec 17 2007, 20:00) Насч...   Dec 23 2007, 21:18
|- - Muxa   Цитата(_artem_ @ Dec 17 2007, 20:00) Спас...   Dec 28 2007, 00:14
- - _artem_   извиняюсь за отсутствие в этой теме - срочно появи...   Jan 15 2008, 14:18


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 25th June 2025 - 15:33
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01416 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016