Мосфет Nch 20 А 200 В 100 кгц pwm, RDSon < 50 mOhm Опции

[_artem_]

время переключения tswitch < 0.2 usec на индуктивную нагрузку до 10 мГ рабочий ток до 10 А не более. Хочется на мотор найти чтото дешевое . Из ирф вроде бы IRFI4227PbF подходит. Но немного дороговат. Может бють есть кандидаты получше?

[_artem_]

Про таблицы знаю - мосфет наверху нашел оттуда
Хотелось бы преварительно оценить потери на переключение и выбрать оптимальный транзистор.
Для частоты 100 кГц потери не переключение по формуле внизу уже состовляют немалую величину . Хотелось бы знать как форумчане делают предварительный расчет потерь (без измерения соотношения мошностей на рабочей схеме или градусника).

PDSWITCHING = (CRSS x VIN² x fSW x ILOAD) / IGATE

источник - http://pdfserv.maxim-ic.com/en/an/AN1832.pdf

[Stanislav]

Хотелось бы преварительно оценить потери на переключение и выбрать оптимальный транзистор.

Про "оптимальный" не скажу - мне это слово без оговаривания конкретных условий работы транзистора не нравится. Попробуйте обратить внимание на Infineon, Philips(NXP), Vishay(Siliconix), Toshiba.
IRF давно и настойчиво делает г.... Если сейчас зайдёте на их сайт, высоковольтных ПТ уже не обнаружите - проиграли они соревнование, основанное, с их стороны, на чистой рекламе, в ущерб качеству приборов.
TrenchMOS, если не ошибаюсь, первыми начал делать Philips, ещё лет 7-8 назад. С тех пор, эта технология стала общепризнанной.

PS. Не гонитесь за малой статической величиной сопротивления - это часто приводит к ошибкам. Лучше всего, как мне кажется, выбирать прибор с балансом динамических (определяемых междуэлектродными емкостями и задержками/скоростями переключения транзистора), и статических потерь.
PPS. Ещё Fairchild забыл... Кстати, есть вероятность, что технологию TrenchMOS придумали именно они.

[Vokchap]

Динамические параметры транзистора из даташита (задержка переключения и фронт) - измеряются в "типичных" для конкретного производителя условиях (последовательное с затвором сопротивление, внутренне сопротивление драйвера). У некоторых они совпадают, у некоторых нет. Вообще эти условия определяющие (наравне с емкостными параметрами ключа) Т.е. чисто по цифрам t_on/off, t_rise/fall можно сделать ошибочные выводы. При желании можно взять прибор с оптимизацией под статику (low Ron), а фронты форсировать запускающей цепью. Обратное не верно.

IRF давно и настойчиво делает г.... Если сейчас зайдёте на их сайт, высоковольтных ПТ уже не обнаружите - проиграли они соревнование

Они вроде не то, чтобы проиграли, просто оставили и продали направления в бизнесе по высоковольтным полевым и сильноточным шоткам Вишею как не самые перспективные. Сейчас деньги делают на полевых низковольтных сильноточных.

[Stanislav]

Динамические параметры транзистора из даташита (задержка переключения и фронт) - измеряются в "типичных" для конкретного производителя условиях (последовательное с затвором сопротивление, внутренне сопротивление драйвера). У некоторых они совпадают, у некоторых нет. Вообще эти условия определяющие (наравне с емкостными параметрами ключа) Т.е. чисто по цифрам t_on/off, t_rise/fall можно сделать ошибочные выводы. При желании можно взять прибор с оптимизацией под статику (low Ron), а фронты форсировать запускающей цепью. Обратное не верно.

Не очень понятно.
Дело с том, что даже при наличии "идеального" драйвера затвора, динамические потери, связанные с конечностью времени переключения транзюка (не обусловленные его междуэлектродными емкостями), весьма велики, и должны учитываться при расчёте потерь.
Немного оффтоппа: не так давно ткнули носом по поводу выбора транзистора в низковольтном импульсном преобразователе 1 МГц (для процессора BlackFin). Применённый мной IRLML6401 проиграл по скорости включения/выключения предложенным в замену FDN340P/FDN360P вчистую, (задержка сама по себе несущественна для КПД).
Кроме того, IRF-ы хуже многих отечественных транзисторов аналогичного назначения. Не понимаю, как IRF держался на плаву столько лет...

...Они вроде не то, чтобы проиграли, просто оставили и продали направления в бизнесе по высоковольтным полевым и сильноточным шоткам Вишею как не самые перспективные. Сейчас деньги делают на полевых низковольтных сильноточных.

ХЗ. Факт тот, что они резко сократили номенклатуру производимых приборов, и продались кому-то навроде Вишая (точно сказать не могу, но видел их баннер на сайте кого-то из грандов).
Короче говоря, ПТ IRF годятся только для статических применений. В динамике они - полное камно. Несколько попыток применить их в разработках (вследстие доступности) привели к осознанию необходимости не гоняться за дешевизной (информационной, прежде всего).

[Vokchap]

Дело с том, что даже при наличии "идеального" драйвера затвора, динамические потери, связанные с конечностью времени переключения транзюка (не обусловленные его междуэлектродными емкостями), весьма велики, и должны учитываться при расчёте потерь.

Поясните, что именно будет значимо ограничивать время переключения (время фронта) если предположить, что межэлектродные ёмкости ничтожны.

[Stanislav]

Поясните, что именно будет значимо ограничивать время переключения (время фронта) если предположить, что межэлектродные ёмкости ничтожны.

Насколько мне удалось выяснить, у ИРФ велико распределённое сопротивление затворов (я их дёргал мощным драйвером вверх и вниз почти мгновенно). Вследствие наличия этого сопротивления, фронт выключения транзистора под током оказывается сильно затянутым, и при его выключении преобладают активные потери.
Без учёта междуэлектродных ёмкостей смысла рассматривать процесс переключения ПТ нет.

[Vokchap]

Насколько мне удалось выяснить, у ИРФ велико распределённое сопротивление затворов (я их дёргал мощным драйвером вверх и вниз почти мгновенно).

Внутреннее активное сопротивление затвора 1-3 Ома типичная величина для ключевых приборов большинства производителей. При идеальном драйвере это сопротивление ограничит перезаряд Миллеровой ёмкости, эта постоянная времени и сформирует задний фронт при высокоиндуктивной нагрузке в стоке. При активной - время сократится ещё в разы.

Вследствие этого, фронт выключения транзистора под током оказывается сильно затянутым, и при его выключении преобладают активные потери.

Сильно как? С точностью до перезаряда Cgd! Для примера возьмем Qgd=100nK для 500В. Это цифра соответствует поршивенькому 500В ключу на средние токи. Берём ширпотребный драйвер с пиковым током 6А. При выключении эта величина тока создаст падение 6В на распределённом сопротивлении затвора 1 Ом. Если порог 4В, то смещение затвора вольта на три в минус (с запасом) обеспечит время переключения грубо 100nK/6A=20ns. Весьма достойная цифра. Есть подводные камни на практике, но в целом задача решаема.

Без учёта междуэлектродных ёмкостей смысла рассматривать процесс переключения ПТ нет.

Солидарен.