Работа транзистора на рассогласованную нагрузку Опции

[max_donetsk]

Всем привет! Ребята, подскажите, пожалуйста, прав ли я: есть усилитель, работающий в МВ - диапазоне с выходной мощностью 300 Вт. На выходе стоит транзистор, который может работать только на нагрузку, имеющую КСВ не более 1,1, таким образом отражённая мощность составляет 0,2%. Мне необходимо его нагрузить на КСВ=2,5. при таком КСВ отражается 7,4 дБ мощности. Для простоты рассуждений примем , что при КСВ=2,5 отражённая мощность составит 6 дБ от исходной. Напряжение на стоке транзистора, в зависимости, от расстояния до нагрузки, будет либо складываться, либо вычитаться.Тогда при сложении отражённого напряжения с падающим, оно составит 1,5 от исходного, либо, при вычитании, 0,5 от исходного (под исходным подразумевается амплитуда напряжения на стоке транзистора при его работе на нагрузку без отражения, т.е, идеальную). . Ясно, что при напряжении 1,5 от исходного, транзистор вылетает, таким образом, мне необходимо выставить выходную мощность таким образом, чтобы при отражении от нагрузки, суммарный вектор напряжения не превышал 1. Пусть при выходной мощности 300 Вт, на транзисторе амплитуда напряжения составляет 1 В (условно). При отражении в 6дБ, диапазон амплитуды будет лежать в пределах 0,5 - 1,5 В-этот вариант не устраивает. Теперь пусть на транзисторе амплитуда составляет 0,6 В, тогда при отражении в 6 дБ, суммарная амплитуда будет лежать в диапазоне 0,3 - 0,9 В (соотношение 1 В и 0,6 В приблизительно 5 дБ - примем 6дБ), таким образом, на идеальной нагрузке я выставляю мощность 75Вт и будет мне счастье? Я смогу тогда нагрузить транзистор на КСВ=2,5 без переживаний о его судьбе?

Сообщение отредактировал max_donetsk - Dec 19 2007, 14:03

[max_donetsk]

Спасибо вам за примеры, но у меня возник следующий вопрос. Я беру транзистор RD100HHF1. В описании сказано, что он может работать при КСВ=20. Я пересчитал по его S-параметрам коэффициент устойчивости, и обнаружил, что в диапазоне до 300 MHz он является потенциально неустойчивым. К примеру, согласовываю его по входу и рисую на диаграмме Смитта окружности устойчивости на выходной плоскости. Из окружностей видно, что транзистор может работать устойчиво только там, где КСВ нагрузки не превышает 2,2. При КСВ выше 2,2, транзистор может перейти в режим генерации. Как же тогда быть с утверждением в описании, что транзистор может работать при КСВ=20?

[grandrei]

Спасибо вам за примеры, но у меня возник следующий вопрос. Я беру транзистор RD100HHF1. В описании сказано, что он может работать при КСВ=20. Я пересчитал по его S-параметрам коэффициент устойчивости, и обнаружил, что в диапазоне до 300 MHz он является потенциально неустойчивым. К примеру, согласовываю его по входу и рисую на диаграмме Смитта окружности устойчивости на выходной плоскости. Из окружностей видно, что транзистор может работать устойчиво только там, где КСВ нагрузки не превышает 2,2. При КСВ выше 2,2, транзистор может перейти в режим генерации. Как же тогда быть с утверждением в описании, что транзистор может работать при КСВ=20?

Транзистор сам по себе может быть неустойчив, однако, чтобы сделать усилитель на его основе устойчивым, нужно соотвествующим образом выбрать параметры входной и выходной согласующих цепей, а возможно и ввести резистивные элементы на его входе. Что же касается проблем с выходным КСВ, то тут два главных аспекта: первый - это когда нагрузка велика, что ведет к выходу из строя транзистора по напряжению пробоя, а второй - это когда нагрузка мала, что ведет к увеличению выходной мошности и соответственно постоянному току через транзистор и возможному пробою по максимальному току. Когда пишут, что транзистор может работать при КСВ = 20, то это означает, что он согласован по критерию безусловной устойчивости, а нагрузка меняется по окружности с этим КСВ, и обычно такой транзистор имеет пробойное напряжение много раз превышающее напряжение питания.