Цитата(_artem_ @ Dec 17 2007, 20:00)

Насчет 20 наносекунд - цифра заманчивая но для 1 Ома распределенного сопротивления 20 / 1 = 20 наногени. То есть индуктивность дорожек будет критична...
в затвор желательно поставить резистор ограничивающий скорость заряда затвора, чтобы спад в цепи стока не был слишком крутой и не генерил отрицательный выброс на паразитных индуктивностях в цепи общего провода драйвера верхнего транзистора. кроме того этот резистор уменьшит динамические потери в затворе. в типичном случае нужен резистор примерно 47 ом для спада в 100нс. этот резистор шунтируют диодиком, динамическое сопротивление которого складывается с означенным выше 1 омом. для диодо 1N4148 реально полное сопротивление может составить уже 4-5 ом. т. е. задержка уже может приблизится к 100нс.
по поводу первого поста из недорогих предлагаю посмотреть IRFB260N (TO220) или IRFP260 (TO247).
девайсы конечно старенькие, с туповатенькими диодами, но недорогие. сейчас их делает Вишай. мы с успехом их используем с питанием вплоть до 175В на 3.5мг обмотку и с током до 10А. обмотка включена между 2мя полумостами без всяких снаберов и диодов. но в нашем случае нет длинных проводов к нагрузке, всё размещено на печатной плате. просто хорошо оттюнены цепи затворов и разводка силовых цепей.
а о какой частоте ШИМ вообще речь?
Цитата(_artem_ @ Dec 17 2007, 20:00)

зашита драйвера верхнего плеча (мост будет испоьзоваться) от отрицательного перенапряжения. Как с этим быть?
http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt97-3.pdfмы используем метод А
диод HS1J и резистор 5.1 Ом 0805