Мосфет Nch 20 А 200 В 100 кгц pwm, RDSon < 50 mOhm Опции

[_artem_]

время переключения tswitch < 0.2 usec на индуктивную нагрузку до 10 мГ рабочий ток до 10 А не более. Хочется на мотор найти чтото дешевое . Из ирф вроде бы IRFI4227PbF подходит. Но немного дороговат. Может бють есть кандидаты получше?

[_artem_]

Про таблицы знаю - мосфет наверху нашел оттуда
Хотелось бы преварительно оценить потери на переключение и выбрать оптимальный транзистор.
Для частоты 100 кГц потери не переключение по формуле внизу уже состовляют немалую величину . Хотелось бы знать как форумчане делают предварительный расчет потерь (без измерения соотношения мошностей на рабочей схеме или градусника).

PDSWITCHING = (CRSS x VIN² x fSW x ILOAD) / IGATE

источник - http://pdfserv.maxim-ic.com/en/an/AN1832.pdf

[Stanislav]

Хотелось бы преварительно оценить потери на переключение и выбрать оптимальный транзистор.

Про "оптимальный" не скажу - мне это слово без оговаривания конкретных условий работы транзистора не нравится. Попробуйте обратить внимание на Infineon, Philips(NXP), Vishay(Siliconix), Toshiba.
IRF давно и настойчиво делает г.... Если сейчас зайдёте на их сайт, высоковольтных ПТ уже не обнаружите - проиграли они соревнование, основанное, с их стороны, на чистой рекламе, в ущерб качеству приборов.
TrenchMOS, если не ошибаюсь, первыми начал делать Philips, ещё лет 7-8 назад. С тех пор, эта технология стала общепризнанной.

PS. Не гонитесь за малой статической величиной сопротивления - это часто приводит к ошибкам. Лучше всего, как мне кажется, выбирать прибор с балансом динамических (определяемых междуэлектродными емкостями и задержками/скоростями переключения транзистора), и статических потерь.
PPS. Ещё Fairchild забыл... Кстати, есть вероятность, что технологию TrenchMOS придумали именно они.

[Vokchap]

Динамические параметры транзистора из даташита (задержка переключения и фронт) - измеряются в "типичных" для конкретного производителя условиях (последовательное с затвором сопротивление, внутренне сопротивление драйвера). У некоторых они совпадают, у некоторых нет. Вообще эти условия определяющие (наравне с емкостными параметрами ключа) Т.е. чисто по цифрам t_on/off, t_rise/fall можно сделать ошибочные выводы. При желании можно взять прибор с оптимизацией под статику (low Ron), а фронты форсировать запускающей цепью. Обратное не верно.

IRF давно и настойчиво делает г.... Если сейчас зайдёте на их сайт, высоковольтных ПТ уже не обнаружите - проиграли они соревнование

Они вроде не то, чтобы проиграли, просто оставили и продали направления в бизнесе по высоковольтным полевым и сильноточным шоткам Вишею как не самые перспективные. Сейчас деньги делают на полевых низковольтных сильноточных.

[migray]

Сейчас деньги делают на полевых низковольтных сильноточных.

IR сейчас пытаются делать бизнес на интелекте для силовой электроники.

А в низковольтных сильноточных они давно и очень сильно проигрывают мосфетам NEC
Достаточно взглянуть на сводную таблицу и вспомнить об автомобильном рынке, где NEC в лидерах

Действительно странно, как еще живут?

Сообщение отредактировал migray - Dec 24 2007, 02:55

[Muxa]

...

А в низковольтных сильноточных они давно и очень сильно проигрывают мосфетам NEC
Достаточно взглянуть на сводную таблицу ...

возможно, что до 60 Вольт это и так, но для поставленной _artem_ задачи ни один их транзистор не подходит. чтобы не быть голословным прилагаю PDF на самый мощный их транзистор на 250В. купить его практически нельзя и стОит сие чудо почто $4

усли уж говорить о конкурентных девайсах, то мне оч. нравятся (увы платонически) приборы от Fairchild Semiconductor. к сожалению фирма на 10 лет исключила нас из сферы своих интересов и теперь наверное понадобится столько же, чтобы мы увидели их приборы...

прилагаю PDF на образцы, которые смог протестировать. стоят около $3. изолированный корпус. обратите внимание, что времена даны с Rg=25 Ом. на самом деле приборы достаточно быстрые, что позволяет использовать ШИМ до 100кГц. я тестировал их на обмотку синхронника 6.2А, 5.5мГ, 0.8 Ом на ШИМ 40кГц, Sin +-200В, Dmax 90%. грелись только нижние транзисторы и то не слишком, градусов до 70

p. s. помогите, кто в курсе, а то в ветку мало кто заходит!
http://electronix.ru/forum/index.php?act=S...st&p=342786

Прикрепленные файлы

 2SK1492_1_.pdf ( 397.29 килобайт ) Кол-во скачиваний: 86
 FDAF69N25_1_.pdf ( 635.61 килобайт ) Кол-во скачиваний: 96

 

[migray]

возможно, что до 60 Вольт это и так, но для поставленной _artem_ задачи ни один их транзистор не подходит. чтобы не быть голословным прилагаю PDF на самый мощный их транзистор на 250В. купить его практически нельзя и стОит сие чудо почто $4

Купить можно все, при желании
Вообще сообщение было не для решения проблемы _artem_, а для уточнения сообщения Vokchap о низковольтных транзисторах.
Высоковольтных мосфетов у NEC действительно не густо

усли уж говорить о конкурентных девайсах, то мне оч. нравятся (увы платонически) приборы от Fairchild Semiconductor.

Ничего плохого сказать не могу, достойные приборы.