Всесторонняя защита МОП- транзистора от перенапряжений и КЗ. Опции

[RAD1ST]

Во многих схемах (например)



для защиты ключей от повреждения бросками напряжения при коммутации индуктивной нагрузки предлагается установка стабилитрона VD3 и диода VD1, но не поясняется исходя из каких параметров выбираются нелинейные элементы и с какой функцией. Хотелось бы понять решение данной задачи. Если у кого есть опыт работы в данном направлении прошу помочь разобраться в данной задаче.

[Vlad_66]

При закрытом транзисторе (Uвх=0) и появлении на его стоке напряжения большего, чем напряжение стабилизации VD3, транзистор начинает приоткрываться и работает как стабилитрон. При этом греется и рассеивает всю энергию, которая вызвала перенапряжение. VD4 - для ограничения перенапряжения, если нет желания насиловать транзистор.
R2 устанавливается желающими заняться с этой схемой любовью . В схемах с биполярными транзисторами - для перевода в режим источника тока. Для полевого транзистора напряжение включения 5В, а напряжение управления с драйвера 15В. Для того,чтобы призакрыть транзистор на резисторе должно быть 10В!
Если установлен VD5 перенапряжений при правильном монтаже быть не может.
Если R1, то перенапряжение=(токнагрузки/Ктр + токнамагничивания)*R1+Uпит для прямоходовой схемы.
VD1 - для защиты от перенапряжений и обратного напряжения на затворе. Из-за собственной емкости затягивает включение, из-за медленного диода - не защищает от отрицательного напряжения при неправильном монтаже.
Весь приведенный огород сейчас используется очень редко!
Схемотехнику ключей модно посмотреть на сайте International Rectifier www.irf.ru или поискать в сети книгу Марти Браун ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ (уже не совсем современная, но на русском) или англоязычные типа Switchmode Power Supply Handbook (McGraw)