Попытки разработчиков создать идеаль-ный ключ продолжаются. Надежды на СИТ и Б-СИТ транзисторы быстро растаяли, теперь усилия лучших умов сосредоточи-лись на JGBT.Между тем обычный биполярный транзистор не исчерпал своих возможностей, особенно его дарлингтон-версия. Технология SIRET позволяет создавать биполярные транзисторы с хорошей ОБР и высоким быстродействием для конструирования особо высокочастотных ключевых источников питания.
Отчет испытаний смотрите во вложенном файле