В первую очередь, надо смотреть на частоту усиления по току (или transition frequency) fT, чтобы понять усилительные свойства транзистора. особенно это важно для широкополсоного усилителя, когда желательно иметь максимальную рабочую частоут порядка 8-10 больше, чем fT. У LDMOS транзисторов максимальная fT порядка 6-7 GHz. Входную цепь такого транзистора обычно можно аппроксимировать последовательной RC цепью, при этом его входное сопротивление (практически емкостное) на низких частотах обычно очень велико, а на высоких становится очень малым ввиду довольно большой емкости. Поэтому до f = 0.1 fT достаточно зашунтировать резистором, чтобы иметь практически постоянное резистивное входное сопротивление до очень низких частот (граница нижнего диапазона будет определяться величиной блокировочного конденсатора) с постоянным коэффициентом усиления по мощности. Насчет, internal matching, скорее всего, имеется ввиду, что нет внутреннего согласования в транзисторе, а необходимо в таком случае внешнее. Однако, на высоких частотах падает как входное сопротивление, так и коэффициент усиления. Поэтому на ваших частотах лучше бы использовать HEMT транзистор, правда это не ширпотреб, но зато проблем с реализацией указанного диапазона частот с отличными характеристиками не должно быть. Например, это может быть GaN транзистор CGH40035 (см. привязанный файл). Можно, конечно, попытаться складывать, но полоса довольно широка.
RF power transistor P1=30W, F=1GHz-3GHz
Mar 16 2008, 17:33
