RF power transistor P1=30W, F=1GHz-3GHz Опции

[YuriyMatveev]

Добрый вечер всем!!!
Такая вот задача! Пытаюсь найти транзистор для усилителя в калссе А мощностью порядка 30W - 40 W, и диаппазоном частот 1GHz - 3GHz . Попробовал один из LDMOS - транзисторов NXP, но после измерения S-параметров, оказалось что активная составляющая входного сопротивления настолько мала (менее 0,5 Ом) , что даже теоретически согласовать его можно при приемлемом Go и VSVR только в полосе около 200MHz ( хотя в datashit сказано, что транзистор "No internal matching for broadband operation") ---- это особенность всех LDMOS транзисторов работать в узкой полосе частот (иметь очень низкие значения Re(Zin) и Re(Zout))?????
Или все же придется использовать несколько менее мощных транзисторов и суммировать их мощность???

[YuriyMatveev]

Да, действительно у CREE довольно неплохие транзисторы, первоначально я и думал использовать CGH40035 (даже моделирование по S параметрам в datasheet дало хорошие результаты) но стоимость порядка 1000у.е. за штуку !!!! заставило думать о другом, более дешевом варианте. Что касается Eudyna тоже рассматривал как вариант, но действительно срок поставки все таки довольно большой, да и стоимость думаю будет не меньше чем у CREE, . Поэтому наверное придется все таки суммировать мощность от менее мощных (более дешвых) GaAs транзисторов. Хотя конечно правильно было бы использовать один нормальный GaN транзистор,

Тут возник еще один вопрос, если я не ошибаюсь то высоковольтные транзисторы более линейны чем низковольтные, в частности по IP3? Или все же у всех транзисторов разница между IP3 и P1 порядка 10dB (учитывая, что все конечно зависит от согласования)???