RF power transistor P1=30W, F=1GHz-3GHz Опции

[YuriyMatveev]

Добрый вечер всем!!!
Такая вот задача! Пытаюсь найти транзистор для усилителя в калссе А мощностью порядка 30W - 40 W, и диаппазоном частот 1GHz - 3GHz . Попробовал один из LDMOS - транзисторов NXP, но после измерения S-параметров, оказалось что активная составляющая входного сопротивления настолько мала (менее 0,5 Ом) , что даже теоретически согласовать его можно при приемлемом Go и VSVR только в полосе около 200MHz ( хотя в datashit сказано, что транзистор "No internal matching for broadband operation") ---- это особенность всех LDMOS транзисторов работать в узкой полосе частот (иметь очень низкие значения Re(Zin) и Re(Zout))?????
Или все же придется использовать несколько менее мощных транзисторов и суммировать их мощность???

[RFMAN]

Можно поставить 50-вольтовый GaN HEMT. С 50 В питания проще согласовать выходную цепь с 50 Ом нагрузки в широкой полосе частот. Да и ток стока будет сравнительно небольшой (1...1,5 А).

GaN транзисторы делает также Eudyna (бывшее подразделение Fujitsu). С покупкой проблем не было, правда срок поставки - 12-13 недель.

Сообщение отредактировал RFMAN - Mar 17 2008, 05:14

Прикрепленные файлы

 EGN030MK_preliminary_ED1_4.pdf ( 109.17 килобайт ) Кол-во скачиваний: 131

 

[FDS]

Можно поставить 50-вольтовый GaN HEMT. С 50 В питания проще согласовать выходную цепь с 50 Ом нагрузки в широкой полосе частот. Да и ток стока будет сравнительно небольшой (1...1,5 А).

GaN транзисторы делает также Eudyna (бывшее подразделение Fujitsu). С покупкой проблем не было, правда срок поставки - 12-13 недель.

Посмотрите пристёжку.

Прикрепленные файлы

 NPTB00040.pdf ( 512.78 килобайт ) Кол-во скачиваний: 291