RF power transistor P1=30W, F=1GHz-3GHz Опции

[YuriyMatveev]

Добрый вечер всем!!!
Такая вот задача! Пытаюсь найти транзистор для усилителя в калссе А мощностью порядка 30W - 40 W, и диаппазоном частот 1GHz - 3GHz . Попробовал один из LDMOS - транзисторов NXP, но после измерения S-параметров, оказалось что активная составляющая входного сопротивления настолько мала (менее 0,5 Ом) , что даже теоретически согласовать его можно при приемлемом Go и VSVR только в полосе около 200MHz ( хотя в datashit сказано, что транзистор "No internal matching for broadband operation") ---- это особенность всех LDMOS транзисторов работать в узкой полосе частот (иметь очень низкие значения Re(Zin) и Re(Zout))?????
Или все же придется использовать несколько менее мощных транзисторов и суммировать их мощность???

[YuriyMatveev]

И все же насколько выше разница между IP3 и P1 для высоковольтных транзисторов по сравнению с низковольтными (допустип теми же GaAs (Uds=8v) у которых она порядка 10 dB) --- не можете сказать по опыту???

[grandrei]

И все же насколько выше разница между IP3 и P1 для высоковольтных транзисторов по сравнению с низковольтными (допустип теми же GaAs (Uds=8v) у которых она порядка 10 dB) --- не можете сказать по опыту???

Честно говоря, никогда не пользовался информацией о IP3 при проектировании линейных усилителей мощности. Дело в том, что аналитически эти данные получается при разложении переходной характеристики транзистора в степенной ряд и подразумевают слабую нелинейность. Однако, кроме того ведь имеются нелинейные емкости, да и влияние цепи смещения, особенно у биполярных транзисторов, может оказывать существенное влияние в режиме близком к насыщению. Это возможно разве что для оценок IM3 от мощности и IP3. В сущности, если есть симулятор, то проще получить эти данные непосредственно из симуляции. А в целом, например, для сотовых телефонов, чтобы иметь небольшой запас в стандарте WCDMA, нужна отстройка в 3-4 дБ от мощности насыщения, хотя GaAs HBT транзисторы более линейны, чем SiGe HBT. По опыту, LDMOS транзисторы не столь линейны как биполярные, ввиду более нелинейной входной емкости и передаточной характеристики (колоколообразная характеристика для крутизны, в отличие от аналогичной более плоской для биполярных). При этом, что для высоковольтных, что для низковольтных транзисторов нужна достаточная отсройка от мощности насыщения для обеспечения требуемой линейности. В общем, у каждого транзистора свои индивидуальности.

Сообщение отредактировал grandrei - Mar 17 2008, 11:58