RF power transistor P1=30W, F=1GHz-3GHz Опции

[YuriyMatveev]

Добрый вечер всем!!!
Такая вот задача! Пытаюсь найти транзистор для усилителя в калссе А мощностью порядка 30W - 40 W, и диаппазоном частот 1GHz - 3GHz . Попробовал один из LDMOS - транзисторов NXP, но после измерения S-параметров, оказалось что активная составляющая входного сопротивления настолько мала (менее 0,5 Ом) , что даже теоретически согласовать его можно при приемлемом Go и VSVR только в полосе около 200MHz ( хотя в datashit сказано, что транзистор "No internal matching for broadband operation") ---- это особенность всех LDMOS транзисторов работать в узкой полосе частот (иметь очень низкие значения Re(Zin) и Re(Zout))?????
Или все же придется использовать несколько менее мощных транзисторов и суммировать их мощность???

[grandrei]

Вот в КПД и проблема, и если взглянуть с этой точки зрения, то данные усилители разве что можно использовать как драйверы, но не оконечные мачтовые усилители для базовых станций. При потребелении 66 Вт имеем всего 2 Вт для WCDMA, а сейчас основная задача - это повышение КПД до 20-30%. Кстати, именно этим я сейчас и занимаюсь. Что касается методов линеаризации, то это все не так просто. Там правильно написано, что линеаризация со связью вперед или feedforward сильно зависит от температуры, имеет низкий КПД, плюс узкополосна (в противном случае нужны управляемые аттенюаторы и фазовращатели, что только усложняет всю систему) и требует точной настройки. Цифровые схемы так же не совсем оправдывают свое предназначение, поскольку слишком много надо создавать таблиц коррекции (lookup tables). Предыскажения (predistortion) довольны просты в реализации, но требуют аналогичной нелинейности с основным усилителем. Хотя они сейчас наиболее распространены. На мой взгляд, незаслужено забыта обратная связь по ВЧ (RF feedback), хотя иногда можно встретить и ее. В частности, обратную связь по ВЧ можно также одновременно использовать с коррекцией по огибающей (детекторы на входе и выходе и регулировка смещения или аттенюатора на входе), нашел одну такую статью 56-го года для лампового усилителя. Также для увеличения КПД транзисторы надо использовать смещения в классе AB и возможно некоторую аппроксимацию класса F выходной цепи (плюс возможно простой вариант цифровой коррекции).