Предложения по усовершенствованию C8051F9xx, разумны ли аргументы Опции

[Alexey-ka]

Коллеги! Фирма Silicon Labs анонсировала новую серию микроконтроллеров C8051F9xx. Микроконтроллер оптимизирован для использования в батарейных приложениях - 170 мкA/МГц (на максимальной частоте), нижний порог питания 0.9В.

Вопрос для обсуждения:
Микросхема запускается от внутреннего высокочастотного генератора 20МГц с делителем /8. Итого, при включении питания кристалл начинает молотить на частоте 2.5 МГц. Собственно вопрос: имеет ли смысл модифицировать кристалл таким образом, чтобы он запускался от низкочастотного генератора, а затем, при необходимости, можно было программно разрешить высокочастотный генератор и тактироваться от него.

Принимаются ответы: да/нет, аргументы.

Более конкретно можно поставить вопрос по-другому: в каких конкретных задачах может потребоваться переключение кристалла в режим сна сразу же после его включения, а уж затем (по событию) разбудить его и молотить на большой частоте.

Подоплека вопроса: сейчас Silicon Labs принимает аргументы в пользу усовершенствования кристалла, дабы более плотно вписаться с батарейные приложения. Можем помочь сами себе.

[Alexey-ka]

Коллеги!

В части выгодности микроконтроллера с напряжением питания 0.9В в системах с резервным питанием (как предложено уважаемым(-ой) GALA), насколько будет выгодно применение ионистора? Какие за и против? Насколько применим этот вариант в Ваших задачах?

Пока вижу такие "За":
1. для продолжительной работы микроконтроллера достаточно одного ионистора на 2.5В;
2. нижний порог 0.9В находится в пределах рабочего напряжения такого ионистора;
3. чем ниже напряжение на ионисторе, тем больше его срок службы (технологическое свойство ионистора);
4. чем ниже напряжение на ионисторе, тем ниже его токи утечки / саморазряд (технологическое свойство ионистора).

Плюсы одного элемента, относительно блока из двух элементов, соединенных последовательно:
1. стоимость??? различна ли?
2. компактность;
3. внутреннее сопротивление одного источника ниже, чем двух, соединенных последовательно;
4. нет проблемы неравномерности распределения нагрузки вследствие неодинаковости разных экземпляров ионисторов (как итог - перенапряжения отдельных элементов, возникающих без дополнительной шунтировки элементов в батарее либо повышенных токов утечки из-за шунтов).

Алексей

Сообщение отредактировал Alexey-ka - Mar 19 2008, 14:22