большесигнальные S-параметры транзисторов, моделирование в Microwave Опции

[Юлек]

Как получить все S-параметры в режиме большого сигнала для транзистора, для усилителя на нем, средствами Microwave Office? Пока есть результаты только по идентификации параметров эквивалентных схем транзисторов в линейном режиме новым методом.
Откликнитесь пожалуйста кто этим занимается и интересуется!!!

[SergR]

Уважаемые! Подскажите, если из исходных данных сть только S-параметры (малосигнальные приведенные в даташите) а надо сделать усилитель c выходной мошностью в P1, какие методы рассчета дадут найилучшее совпадение с практическими результатами. Я считал в MWO, на малом сигнале результаты совпадают с практикой(+/-), при увеличении мощности точка компресии наступает на 3-4дБ раньше приведенной в документации и АЧХ искажается неравномерно.

[proxi]

Уважаемые! Подскажите, если из исходных данных сть только S-параметры (малосигнальные приведенные в даташите) а надо сделать усилитель c выходной мошностью в P1, какие методы рассчета дадут найилучшее совпадение с практическими результатами. Я считал в MWO, на малом сигнале результаты совпадают с практикой(+/-), при увеличении мощности точка компресии наступает на 3-4дБ раньше приведенной в документации и АЧХ искажается неравномерно.

К сожалению S-параметры из даташитов часто бывают не первой свежести,
мягко говоря,замеренные к примеру 5 лет назад и особенно на десятках
гигагерц.Производители меняют заводы ,пластины, столкнулся с вариантом
другого бондинг процесса ,другая длинна проводков.Все это сказывается
на паразитах в результате нужно подстраивать ,чтобы получить результат.
Касаемо P1 этот параметр часто носит рекламный характер,толком не сказанно
как они его получили ,напряжения,надо учитывать при P1 появляется ток затвора.