Цитата(alexkok @ May 3 2008, 07:52)

Конечно, ведь для тиристора пролаз через емкость анод - гейт это открывающий ток.
Резистор этот пролаз шунтирует.
А никак этот резистор не связан с упомянутыми параметрами
Эти параметры чисто "конструктивные" - прежде всего РАЗМЕР и геометрия кристалла, плюс технология изготовления p-n переходов, отвечающая за время и характер распространения в кристалле "волны" включения (dI/dT), емкости p-n переходов пропускающие паразитный ток включения от dV/dT. Если шунтирующий резистор влияет на dV/dT, то этот параметр будет указан ДЛЯ конкретного значения резистора ("не более ...")