Вопрос к знатокам мощных тиристоров, Вопрос по теории Опции

[Make_Pic]

Вопрос к знатокам мощных тиристоров - как то связано значение резистора подключаемого параллельно катод - гейт с переносимостью тиристором импульсной подводимой энергии dV/dt и dI/dt? Есть где нибудь об этом почитать?

Сообщение отредактировал Alexandr - May 4 2008, 07:25

[evgeny_ch]

Вопрос к знатокам мощных тиристоров - как то связано значение резистора подключаемого параллельно катод - гейт с переносимостью тиристором импульсной подводимой энергии dV/dt и dI/dt? Есть где нибудь об этом почитать?

http://www.dectel.ru/publicat/10rul.shtml
http://www.nxp.com/acrobat_download/applic...OLDEN_RULES.pdf
http://www.nxp.com/acrobat_download/applic...tes/APPCHP6.pdf
ПМСМ, мощные тиристоры разных производителей имеют свои приколы.
Three-quadrant triacs.

Сообщение отредактировал evgeny_ch - May 3 2008, 07:28

[rezident]

Three-quadrant triacs.

Все эти трехквадрантные и снабберлесс триаки не панацея. Они рассчитаны на работу в сетях с нормированным уровнем помех до 4500В/мкс по-моему. Несмотря на вроде бы как большое значение критической скорости нарастания напряжения, в отечественных электрических сетях можно встретить еще и не такой ужас

Эти параметры чисто "конструктивные" - прежде всего РАЗМЕР и геометрия кристалла, плюс технология изготовления p-n переходов, отвечающая за время и характер распространения в кристалле "волны" включения (dI/dT), емкости p-n переходов пропускающие паразитный ток включения от dV/dT.

Угу. Последствия превышения dI/dt иногда можно наблюдать визуально (если вскрыть корпус неисправного тиристора) в виде так называемого "шнурового" пробоя. Шнуровой пробой вызывается тем, что за счет большой площади кристалла у мощных тиристоров при критических значениях dI/dt ток просто не успевает "растечься" по всему объему кристалла. Получается тепловой пробой с выгоранием/испарением части кристалла, который выглядит визуально как шнурок, упавший на кристалл. Отсюда и название.