Цитата(Stary @ May 27 2008, 16:26)

Посоветуйте как разводить.
Внешний ряд шаров в ТОРе, начиная со второго ряда уходить через микровиа во внутренние слои.
Это реально делать при норме проектирования 0,1/0,1мм.
Площадку BGA делайте 0,3мм (ИМХО). Вскрытие в маске под площадку - 0,4мм. Меньше (в смысле зазор от КП до края маски) Вам никто не сделает.
Микровиа: 90мкм отверстие, 250мкм площадка в ТОРе, 300-330мкм в INTах.
Стек, правда, будет специфичный.
Все реально зависит от Вашей BGA.
Тезис первый: Не ошибается лишь тот, кто ничего не делает.
Тезис второй: Опыт - великое дело, его не пропьёшь :).