А что вы собственно хотите промоделировать с помощью нелинейной модели???
На мой взгляд для проектирования малошумящего усилителя по критериям : Gain_max, NFmin в заданной полосе рабочих частот , вполне достаточно линейных S-parametrs, Noise-parametrs, при заданных bias point, т.к. усилитель будет работать в режиме малого сигнала в классе А. (еще также надо учесть и критерии устойчивости по параметрам K, B.).
Если же надо учесть нелинейные искажения, например по критерию OIP3, то действительно без нелинейной модели не обойтись. Причем в datasheet на данный транзистор представлены значения элементов малосигнальной модели:
extrinsic-elements (парматры модели корпуса транзистора не зависящие от bias point),
intrinsic-elements (параметры модели самого транзистора зависящие от bias point),
Вдобавок значения intrinsic-elements приведены при различныx значения Vd, Id, так что можно построить зависимости нелинейных емкостей от Vgs, Vds, а также зависимость Ids(Vds) и аппроксимировать их соответствующими полиномами выбранной вами нелинейной модели транзистора .
Далее подставить полученныe коэффициенты полиномов аппроксимирующих выражений, и значения элеметов не зависящих от bias point в нелинейную модель транзистора в MWO. Если не ошибаюсь то все должно работать
Сообщение отредактировал YuriyMatveev - Jul 9 2008, 20:17
Нелин.модель тр-ра в ADS, экспорт в другую САПР
Jul 5 2008, 19:58
