СВЧ усилитель мощности, 1.5мВт-100Вт Опции

[Sokrat]

Сразу назову себя новичком, так что не сильно издевайтесь . Встала задача в полосе частотах 800-960 МГц спроектировать импульсный УМ с 1.5мВт до 100Вт. Проектировать, конечно, сразу решили на полевиках. Как видите усиление достаточно большое. Хотелось бы с Вами(как с опытными) посоветоваться по поводу этой задачи: подскажите литературу, наиболее подходящее ПО. Может быть дадите какие-нибудь советы, на какие "подводные камни" можно наткнутся в процессе решения. Заранее огромное спасибо

[Sokrat]

Уважаемый grandrei, подскажите пожалуйста, где можно почитать про Spice и нелинейные модели транзисторов и как с помощью них моделировать. Разобрался с S-параметрами, пробовал с нелинейными моделями моделировать, но пока результатов не добился. Да и просто, по неопытности, смутно представляю себе что это такое.
Подскажите ещё пожалуйста, если два транзистора составить в пары, насколько (на практике) может увеличиться рассеиваемая мощность. И как это оценить?

[grandrei]

Уважаемый grandrei, подскажите пожалуйста, где можно почитать про Spice и нелинейные модели транзисторов и как с помощью них моделировать. Разобрался с S-параметрами, пробовал с нелинейными моделями моделировать, но пока результатов не добился. Да и просто, по неопытности, смутно представляю себе что это такое.
Подскажите ещё пожалуйста, если два транзистора составить в пары, насколько (на практике) может увеличиться рассеиваемая мощность. И как это оценить?

Что касается S-параметров, то это обычно малосигнальные параметры, и вся сложность - это просто их вставить в программу в виде дата-файла. А вот с нелинейными моделями сложнее, поскольку здесь нужны результаты измерений с одной стороны и уравнения для описания поведения элементов эквивалентной схемы транзистора в зависимости от напряжений смещения затвора и стока. И уровень модели зависит уже непосредственно от того, что вы имеете в самом софте и какова там процедура. Но в любом случае, как минимум, нужно подбирать коэффициенты для описания вольт-амперных характеристик, чтобы они соответствовали промерянным. В качестве примера, я привязал главу из книги, посвященной нелинейным моделям, и статью про моделирование автогенераторов, правда на Serenade 7.5. Но со SPICE моделированием я дела никогда не имел, посему чисто практически ничем помочь не могу.

Что касается увеличения рассеяния мощности, то транзисторы надо включать в параллель со всеми вытекающими отсюда проблемами. Поэтому и создают транзисторы на разные мощности, где просто используются разное количество кристаллов в параллель в одном корпусе с возможными дополнительными стабилизирующими резисторами или однозвенными внутренними входными согласующими цепями, если размер очень большой, и входной импеданс при этом мал. Я бы все ж порекомендовал что-нибудь найти, а не использовать малошумящие транзистора для достижения досточно большой мощности, уж больно это как-то...

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 16 2008, 19:42

Прикрепленные файлы

 MWJ_2000_Jan.pdf ( 72.21 килобайт ) Кол-во скачиваний: 233
 Chapter_3.pdf ( 435.97 килобайт ) Кол-во скачиваний: 337